Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet

IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
1: S/7.28
3,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH7545TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH7545TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet

Obtenga más información

Hoja de datos

3,402En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.24

S/3.12

S/2.47

Ver

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

85 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

IPT029N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.11
2,157En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT029N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT029N08N5ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,157En existencias

Cinta cortada

S/19.11

S/12.69

S/9.58

S/8.76

S/7.94

Envase tipo carrete

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

169 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.29
26,685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

26,685En existencias

Cinta cortada

S/24.29

S/16.31

S/11.79

S/11.76

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.44
9,219En existencias
8,000Se espera el 19/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT007N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

9,219En existencias

8,000Se espera el 19/05/2026

Cinta cortada

S/27.44

S/18.57

S/13.86

S/13.08

Envase tipo carrete

S/12.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

750 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

216 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.55
12,325En existencias
8,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

Obtenga más información

Hoja de datos

12,325En existencias

8,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/20.55

S/13.70

S/9.81

S/9.38

Envase tipo carrete

S/8.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/19.77
1,223En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

1,223En existencias

Cinta cortada

S/19.77

S/14.01

S/10.04

S/9.03

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.06
1,070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,070En existencias

Cinta cortada

S/21.06

S/14.05

S/10.04

S/9.69

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
5,007En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC039N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

5,007En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.14

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
2,091En existencias
2,000Se espera el 6/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,091En existencias

2,000Se espera el 6/03/2026

Cinta cortada

S/10.51

S/6.81

S/4.67

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte