Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
24,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35ATMA1

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726-IPG20N10S4L35ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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S/7.51

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S/3.24

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S/2.24

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SMD/SMT

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N-Channel

2 Channel

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20 A

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- 16 V, 16 V

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- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
16,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S412AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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S/6.46

S/4.09

S/2.74

S/2.16

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Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

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20 A

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
2,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L11AATMA1

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726-IPG20N06S4L11AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

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S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.24

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Envase tipo carrete

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IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
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4,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35AATMA1

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726-20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

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S/3.32

S/2.63

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Envase tipo carrete

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IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
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4,857En existencias

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IPG20N10S4L-22A

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726-IPG20N10S4L-22A

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S/6.07

S/4.13

S/3.43

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Infineon Technologies
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6,469En existencias
NRND

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

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726-IPZ40N04S5L4R8AT

NRND

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S/1.25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon Technologies
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10,416En existencias
NRND

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IPZ40N04S5L7R4ATMA1

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726-IPZ40N04S5L7R4AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/1.17

Envase tipo carrete

S/1.07

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TSDSON-8

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1 Channel

40 V

40 A

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- 16 V, 16 V

1.6 V

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+ 175 C

34 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
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IPG20N04S4-12

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726-IPG20N04S4-12

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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S/1.74

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Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

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3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPG20N10S4L-22
Infineon Technologies
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6,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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S/9.26

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S/4.05

S/3.36

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L22ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
3,054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L22ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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3,054En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.88

S/3.97

S/3.19

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.91

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

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2 Channel

100 V

20 A

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- 16 V, 16 V

1.1 V

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- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
1,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L22AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

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S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.25

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

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- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N10S4L-35
Infineon Technologies
1: S/7.51
1,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-35

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,583En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.83

S/3.32

S/2.81

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.24

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Mult.: 1

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

35 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

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