Semiconductores discretos

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores discretos

Lista Imágenes

Resultados: 103

Filtros aplicados:

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

IXFK180N25T
IXYS
1: S/70.45
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK180N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK180N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

S/70.45

S/50.41

S/44.49

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

IXFN160N30T
IXYS
1: S/123.43
12En existencias
300Se espera el 6/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFN160N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN160N30T

IXYS

Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

Obtenga más información

Hoja de datos

12En existencias

300Se espera el 6/05/2026

S/123.43

S/90.81

S/78.82

S/78.78

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

IXTA102N15T
IXYS
1: S/22.30
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA102N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA102N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

261En existencias

S/22.30

S/11.76

S/10.67

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds

IXTA60N10T
IXYS
1: S/14.13
146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA60N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA60N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

146En existencias

S/14.13

S/8.37

S/7.05

S/5.14

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130Amps 200V

IXTH130N20T
IXYS
1: S/38.93
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH130N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH130N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130Amps 200V

Obtenga más información

Hoja de datos

240En existencias

S/38.93

S/23.39

S/18.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id180 BVdass100

IXTP180N10T
IXYS
1: S/30.24
32En existencias
700En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTP180N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP180N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id180 BVdass100

Obtenga más información

Hoja de datos

32En existencias

700En pedido

S/30.24

S/16.47

S/15.06

S/12.88

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

IXTP44N10T
IXYS
1: S/10.59
847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP44N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP44N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

847En existencias

S/10.59

S/5.02

S/4.20

S/3.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds

IXTP50N25T
IXYS
1: S/24.37
195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP50N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP50N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

195En existencias

S/24.37

S/12.96

S/11.79

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id60 BVdass100

IXTP60N10T
IXYS
1: S/13.66
28En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP60N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP60N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id60 BVdass100

Obtenga más información

Hoja de datos

28En existencias

S/13.66

S/6.89

S/5.68

S/5.06

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench POWER Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200v, 60A

IXTP60N20T
IXYS
1: S/27.09
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP60N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP60N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench POWER Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200v, 60A

Obtenga más información

Hoja de datos

67En existencias

S/27.09

S/14.52

S/13.27

S/11.13

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

IXTP76N25T
IXYS
1: S/26.66
220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP76N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP76N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

220En existencias

S/26.66

S/14.29

S/13.04

S/10.98

S/10.86

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds

IXTP80N10T
IXYS
1: S/14.60
113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP80N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP80N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

113En existencias

S/14.60

S/7.51

S/6.81

S/6.03

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

IXTQ130N10T
IXYS
1: S/23.16
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ130N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ130N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

224En existencias

S/23.16

S/14.05

S/11.68

S/9.96

S/9.77

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH

IXTQ60N20T
IXYS
1: S/24.21
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ60N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ60N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH

Obtenga más información

Hoja de datos

274En existencias

S/24.21

S/16.15

S/13.43

S/9.54

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

IXTY44N10T
IXYS
1: S/12.49
526En existencias
350Se espera el 21/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTY44N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY44N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

526En existencias

350Se espera el 21/04/2026

S/12.49

S/6.15

S/5.49

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Módulos MOSFET 360 Amps 100V

IXFN360N10T
IXYS
1: S/111.17
1,385En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFN360N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN360N10T

IXYS

Módulos MOSFET 360 Amps 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,385En pedido

S/111.17

S/81.28

S/69.09

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Módulos MOSFET 155A 250V

IXFN180N25T
IXYS
1: S/117.24
300Se espera el 30/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFN180N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN180N25T

IXYS

Módulos MOSFET 155A 250V

Obtenga más información

Hoja de datos

300Se espera el 30/09/2026

S/117.24

S/85.99

S/73.88

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Módulos MOSFET 230A 200V

IXFN230N20T
IXYS
1: S/147.56
368Se espera el 4/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFN230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN230N20T

IXYS

Módulos MOSFET 230A 200V

Obtenga más información

Hoja de datos

368Se espera el 4/08/2026

S/147.56

S/114.21

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFX230N20T
IXYS
1: S/101.52
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFX230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/101.52

S/66.13

S/62.51

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V

IXFA102N15T
IXYS
300: S/12.46
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA102N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA102N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/12.46

Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V

IXFA130N10T
IXYS
300: S/9.96
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA130N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA130N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/9.96

Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 0V

IXFH102N15T
IXYS
300: S/15.26
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH102N15T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH102N15T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 0V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/15.26

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 0V

IXFH110N25T
IXYS
300: S/20.79
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH110N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH110N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 0V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/20.79

S/19.27

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXFH120N25T
IXYS
300: S/32.42
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/32.42

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXFH150N20T
IXYS
1: S/76.88
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH150N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH150N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/76.88

S/48.23

S/43.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte