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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
1: S/25.85
4,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N65M5

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511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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4,033En existencias

S/25.85

S/17.83

S/16.70

S/14.56

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.14
1,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL28N60DM2

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511-STL28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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1,256En existencias

Cinta cortada

S/18.14

S/11.99

S/9.38

S/8.33

S/7.12

Envase tipo carrete

S/6.42

Min.: 1
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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STD9N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/10.98
2,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9N65DM6AG

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511-STD9N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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2,432En existencias

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S/10.98

S/7.08

S/5.06

S/4.24

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.26

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MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STB24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.74
2,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60M2

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511-STB24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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2,628En existencias

Cinta cortada

S/13.74

S/8.95

S/6.31

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.75

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB24N60M6
STMicroelectronics
1: S/13.70
1,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60M6

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511-STB24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/13.70

S/8.95

S/6.27

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.98

S/4.44

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.66
836En existencias

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STB31N65M5

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511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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S/19.66

S/13.04

S/10.35

S/9.19

Envase tipo carrete

S/7.12

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.66
4,482En existencias

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STB33N65M2

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511-STB33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/19.66

S/13.08

S/9.34

S/8.87

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S/7.20

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STB45N65M5
STMicroelectronics
1: S/33.01
1,755En existencias

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STB45N65M5

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511-STB45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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S/33.01

S/22.73

S/17.87

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S/14.56

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB8N90K5
STMicroelectronics
1: S/15.92
1,178En existencias

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STB8N90K5

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511-STB8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/15.92

S/10.47

S/7.40

S/6.66

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S/5.76

S/5.41

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.03
8,530En existencias

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STD3N62K3

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511-STD3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

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S/6.03

S/3.83

S/2.55

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.55

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

STD5NM50AG
STMicroelectronics
1: S/9.50
5,733En existencias

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STD5NM50AG

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511-STD5NM50AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

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S/9.50

S/6.31

S/4.32

S/3.45

Envase tipo carrete

S/2.88

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/10.47
2,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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S/10.47

S/6.73

S/4.67

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.13

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Min.: 1
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Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.14
4,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

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S/8.14

S/5.18

S/3.61

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

STE48NM50
STMicroelectronics
1: S/111.05
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE48NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STE48NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

Hoja de datos

163En existencias

S/111.05

S/80.93

S/71.78

S/68.98

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STF20N95K5
STMicroelectronics
1: S/22.34
1,658En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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1,658En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

S/22.34

S/13.51

S/12.38

S/11.02

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: S/29.39
2,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

Hoja de datos

2,032En existencias

S/29.39

S/16.39

S/15.06

S/13.55

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

STF40N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.71
1,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

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1,534En existencias

S/23.71

S/16.23

S/13.12

S/11.68

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Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.65
3,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/5.80

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.16

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.83
2,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

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2,130En existencias

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S/14.83

S/9.73

S/6.81

S/6.07

S/6.03

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

STP12N120K5
STMicroelectronics
1: S/33.13
1,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

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1,732En existencias

S/33.13

S/18.14

S/16.70

S/14.52

S/14.48

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N90K5
STMicroelectronics
1: S/54.30
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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422En existencias

S/54.30

S/34.14

S/34.10

Presupuesto

Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/23.90
1,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

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1,020En existencias

S/23.90

S/17.59

S/14.05

S/14.01

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
1: S/39.43
529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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529En existencias

S/39.43

S/23.39

S/20.36

S/20.09

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/32.11
357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

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357En existencias

S/32.11

S/18.96

S/14.17

S/14.13

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N65M2
STMicroelectronics
1: S/16.54
2,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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2,032En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/11.05

S/7.86

S/7.16

Envase tipo carrete

S/5.96

S/5.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

STMicroelectronics MDmesh Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
I2PAK-3
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-5x6-VHV-8
PowerFLAT-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3