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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 109

Filtros aplicados:

Fabricante = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD810022SCL
Advanced Linear Devices
1: S/27.44
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810022SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810022SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

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Hoja de datos

23En existencias

S/27.44

S/14.75

S/13.47

S/11.33

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908SAL
Advanced Linear Devices
1: S/29.47
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

18En existencias

S/29.47

S/19.38

S/16.11

S/15.73

S/14.79

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914SAL
Advanced Linear Devices
1: S/36.36
32En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212914SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

32En existencias

S/36.36

S/24.09

S/20.05

S/18.84

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V

ALD810020SCL
Advanced Linear Devices
1: S/27.48
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810020SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810020SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V

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Hoja de datos

5En existencias

S/27.48

S/14.75

S/14.71

S/14.64

S/13.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.02 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V

ALD810021SCL
Advanced Linear Devices
1: S/27.48
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810021SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810021SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V

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Hoja de datos

4En existencias

S/27.48

S/14.75

S/14.71

S/14.64

S/13.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.12 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

ALD910017SAL
Advanced Linear Devices
1: S/22.58
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910017SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910017SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

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Hoja de datos

47En existencias

S/22.58

S/16.04

S/13.35

S/13.12

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

1.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

ALD910017SALI
Advanced Linear Devices
1: S/29.04
176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910017SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910017SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

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Hoja de datos

176En existencias

S/29.04

S/20.98

S/17.83

S/16.39

S/15.14

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

1.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

ALD810017SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/31.10
34Se espera el 11/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ALD810017SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810017SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

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Hoja de datos

34Se espera el 11/03/2026

S/31.10

S/19.50

S/19.11

S/17.98

S/16.97

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

1.72 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

ALD810030SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/34.88
50Se espera el 11/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ALD810030SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810030SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

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Hoja de datos

50Se espera el 11/03/2026

Cinta cortada

S/34.88

S/30.01

Envase tipo carrete

S/30.01

S/21.06

S/19.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

SMD/SMT

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

3 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Depletion

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

ALD910025SALI
Advanced Linear Devices
1: S/29.04
350Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ALD910025SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910025SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

Obtenga más información

Hoja de datos

350Se espera el 12/03/2026

S/29.04

S/20.98

S/17.83

S/16.39

S/15.14

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800APCL
Advanced Linear Devices
50: S/24.21
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/24.21

S/22.34

S/20.47

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V

ALD810019SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/31.41
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD810019SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810019SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/31.41

S/17.32

S/15.88

S/13.70

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

- 12 V, 12 V

1.92 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD910022SAL
Advanced Linear Devices
1: S/23.71
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910022SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910022SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/23.71

S/13.39

S/12.18

S/10.20

S/10.00

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V

ALD910023SAL
Advanced Linear Devices
50: S/13.39
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910023SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910023SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/13.39

S/12.18

S/10.20

S/10.00

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.28 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V

ALD910024SAL
Advanced Linear Devices
1: S/23.71
Plazo de entrega no en existencias 1 semana

N.º de artículo del Fabricante
ALD910024SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910024SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 1 semana

S/23.71

S/13.39

S/12.18

S/10.20

S/10.00

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.42 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V

ALD910026SAL
Advanced Linear Devices
1: S/27.09
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910026SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910026SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/27.09

S/14.52

S/13.27

S/11.17

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.62 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

ALD910027SAL
Advanced Linear Devices
1: S/27.25
Plazo de entrega 3 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910027SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910027SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 3 Semanas

S/27.25

S/17.44

S/14.48

S/14.40

S/13.23

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V

ALD910028SAL
Advanced Linear Devices
50: S/17.44
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ALD910028SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910028SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/17.44

S/14.48

S/14.40

S/13.23

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.82 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800PCL
Advanced Linear Devices
50: S/20.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

No en existencias

S/20.71

S/19.54

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800SCL
Advanced Linear Devices
50: S/19.03
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

No en existencias

S/19.03

S/17.48

S/15.38

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802PCL
Advanced Linear Devices
50: S/19.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210802PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210802PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/19.27

S/19.23

S/19.19

S/18.02

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

220 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802SCL
Advanced Linear Devices
50: S/17.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210802SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210802SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.71

S/17.67

S/17.44

S/16.39

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

220 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804PCL
Advanced Linear Devices
50: S/19.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210804PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/19.27

S/19.23

S/19.19

S/18.02

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804SCL
Advanced Linear Devices
50: S/17.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210804SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.71

S/17.67

S/17.44

S/16.39

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808APCL
Advanced Linear Devices
50: S/24.21
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/24.21

S/24.17

S/22.54

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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0 V
20 mV
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