Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
SMA6T56CAY
STMicroelectronics
1:
S/4.55
5,408 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMA6T56CAY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
5,408 En existencias
1
S/4.55
10
S/3.69
100
S/2.58
500
S/2.09
2,500
S/1.97
5,000
S/1.70
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SMA (DO-214AC)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 24V 0.2uA 15kV 8kV Uni
SMC30J24A
STMicroelectronics
1:
S/5.49
4,990 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMC30J24A
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 24V 0.2uA 15kV 8kV Uni
4,990 En existencias
1
S/5.49
10
S/4.05
100
S/3.01
500
S/2.38
2,500
S/1.95
5,000
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S/2.18
5,000
S/1.78
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SMC (DO-214AB)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 33V 0.2uA 15kV 8kV Uni
SMC30J33A
STMicroelectronics
1:
S/4.67
3,782 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMC30J33A
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 33V 0.2uA 15kV 8kV Uni
3,782 En existencias
1
S/4.67
10
S/3.67
100
S/2.57
500
S/2.08
2,500
S/1.81
5,000
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S/1.99
5,000
S/1.69
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SMC (DO-214AB)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 22V Unidirect
SMCJ22A-TR
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1:
S/2.72
7,241 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMCJ22A-TR
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 22V Unidirect
7,241 En existencias
1
S/2.72
10
S/2.21
100
S/1.52
500
S/1.21
2,500
S/0.911
5,000
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S/1.11
5,000
S/0.88
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SMC (DO-214AB)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil Std 1500W 10kW 70V BI
SMCJ70CA-TR
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1:
S/2.53
7,422 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMCJ70CA-TR
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil Std 1500W 10kW 70V BI
7,422 En existencias
1
S/2.53
10
S/1.88
100
S/1.28
500
S/1.02
1,000
S/0.926
2,500
S/0.712
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SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel
STB160N75F3
STMicroelectronics
1:
S/19.89
1,698 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB160N75F3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel
1,698 En existencias
1
S/19.89
10
S/13.20
100
S/10.43
500
S/9.34
1,000
S/7.47
2,000
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2,000
S/7.20
5,000
S/7.16
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
STMicroelectronics
1:
S/10.08
1,893 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,893 En existencias
1
S/10.08
10
S/6.50
100
S/4.52
500
S/3.62
1,000
S/3.33
2,000
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2,000
S/2.97
5,000
S/2.96
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/26.78
816 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
816 En existencias
1
S/26.78
10
S/18.80
100
S/14.05
1,000
S/10.90
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/29.08
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
1,000 En existencias
1
S/29.08
10
S/21.72
100
S/17.56
500
S/15.61
1,000
S/13.35
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
STD10P6F6
STMicroelectronics
1:
S/5.41
12,297 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD10P6F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
12,297 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.41
10
S/3.36
100
S/2.26
500
S/1.76
2,500
S/1.40
5,000
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S/1.61
5,000
S/1.31
25,000
S/1.20
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
STD18N65M5
STMicroelectronics
1:
S/13.58
1,377 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD18N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
1,377 En existencias
1
S/13.58
10
S/8.87
100
S/6.19
500
S/5.37
2,500
S/4.36
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
1:
S/10.32
3,422 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
3,422 En existencias
1
S/10.32
10
S/4.32
100
S/4.05
500
S/3.73
1,000
Ver
1,000
S/3.22
3,000
S/3.17
6,000
S/3.09
24,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
STD4NK60ZT4
STMicroelectronics
1:
S/8.64
2,390 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD4NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
2,390 En existencias
1
S/8.64
10
S/5.57
100
S/3.76
500
S/3.00
2,500
S/2.45
5,000
Ver
1,000
S/2.83
5,000
S/2.36
25,000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
STD5N95K5
STMicroelectronics
1:
S/9.34
4,380 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD5N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
4,380 En existencias
1
S/9.34
10
S/5.99
100
S/4.13
500
S/3.28
2,500
S/2.73
5,000
Ver
1,000
S/3.21
5,000
S/2.62
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
STF10N105K5
STMicroelectronics
1:
S/13.97
1,116 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF10N105K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
1,116 En existencias
1
S/13.97
10
S/6.42
100
S/5.84
500
S/5.64
1,000
Ver
1,000
S/4.94
2,000
S/4.52
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
STF23NM50N
STMicroelectronics
1:
S/19.46
930 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF23NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
930 En existencias
1
S/19.46
10
S/11.76
100
S/10.86
500
S/10.00
1,000
S/8.64
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs N Ch 600V 19A
STGB19NC60HDT4
STMicroelectronics
1:
S/13.94
3,033 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB19NC60HDT4
STMicroelectronics
IGBTs N Ch 600V 19A
3,033 En existencias
1
S/13.94
10
S/9.11
100
S/6.38
500
S/5.57
1,000
S/4.71
5,000
Ver
5,000
S/4.52
25,000
Presupuesto
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Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
+4 imágenes
STGD6M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/6.31
3,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD6M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
3,710 En existencias
1
S/6.31
10
S/4.01
100
S/2.67
500
S/2.10
2,500
S/1.71
5,000
Ver
1,000
S/1.92
5,000
S/1.52
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGWA40H120F2
STMicroelectronics
1:
S/28.88
580 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA40H120F2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
580 En existencias
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs 600V 65A N-Channel
STGY50NC60WD
STMicroelectronics
1:
S/64.03
1,001 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGY50NC60WD
STMicroelectronics
IGBTs 600V 65A N-Channel
1,001 En existencias
1
S/64.03
10
S/38.69
100
S/34.25
600
S/34.22
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
STL105N8F7AG
STMicroelectronics
1:
S/10.08
1,873 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL105N8F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
1,873 En existencias
1
S/10.08
10
S/6.50
100
S/4.48
500
S/3.57
3,000
S/2.93
6,000
Ver
1,000
S/3.38
6,000
S/2.91
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL13N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/10.82
3,243 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL13N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
3,243 En existencias
1
S/10.82
10
S/6.97
100
S/4.83
500
S/3.97
1,000
S/3.59
3,000
S/3.22
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
STL47N60M6
STMicroelectronics
1:
S/24.56
1,983 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL47N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
1,983 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
STL70N4LLF5
STMicroelectronics
1:
S/7.51
4,461 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL70N4LLF5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
4,461 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.79
100
S/3.25
500
S/2.58
3,000
S/2.04
6,000
Ver
1,000
S/2.36
6,000
S/1.97
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
STL7N10F7
STMicroelectronics
1:
S/5.92
4,033 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
4,033 En existencias
1
S/5.92
10
S/3.74
100
S/2.49
500
S/1.95
1,000
S/1.78
3,000
S/1.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
Perú
