Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 70 V TVS in SMC
SMC50J70A
STMicroelectronics
1:
S/8.52
2,300 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SMC50J70A
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 70 V TVS in SMC
2,300 En existencias
1
S/8.52
10
S/4.75
100
S/3.88
500
S/3.33
2,500
S/2.70
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S/2.88
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S/2.45
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SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
STB28NM50N
STMicroelectronics
1:
S/32.54
922 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB28NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
922 En existencias
1
S/32.54
10
S/17.63
100
S/16.19
500
S/15.84
1,000
S/14.95
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
STB33N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/23.20
848 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB33N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
848 En existencias
1
S/23.20
10
S/12.18
100
S/11.13
500
S/10.12
1,000
S/9.54
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB35N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/26.35
565 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB35N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
565 En existencias
1
S/26.35
10
S/15.69
100
S/12.69
500
S/11.52
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S/10.59
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
STD130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/7.86
3,885 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
3,885 En existencias
1
S/7.86
10
S/3.77
100
S/3.37
500
S/2.67
1,000
S/2.55
2,500
S/2.18
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD6N80K5
STMicroelectronics
1:
S/10.98
2,500 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
2,500 En existencias
1
S/10.98
10
S/5.45
100
S/4.83
500
S/3.93
2,500
S/3.27
5,000
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S/3.67
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S/3.24
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
STD6N95K5
STMicroelectronics
1:
S/13.47
2,899 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
2,899 En existencias
1
S/13.47
10
S/7.01
100
S/6.15
500
S/5.14
1,000
S/4.79
2,500
S/4.48
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
STD80N4F6
STMicroelectronics
1:
S/10.47
2,946 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N4F6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
2,946 En existencias
1
S/10.47
10
S/6.73
100
S/4.63
500
S/3.69
2,500
S/3.05
5,000
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S/3.42
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S/2.79
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
STF100N10F7
STMicroelectronics
1:
S/10.90
1,907 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF100N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
1,907 En existencias
1
S/10.90
10
S/6.23
100
S/4.83
500
S/3.93
1,000
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S/3.64
2,000
S/3.51
5,000
S/3.44
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STF13N60M2
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1:
S/8.87
2,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2,951 En existencias
1
S/8.87
10
S/5.18
100
S/3.79
500
S/3.07
1,000
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1,000
S/2.76
2,000
S/2.48
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF20N90K5
STMicroelectronics
1:
S/30.95
726 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF20N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
726 En existencias
1
S/30.95
10
S/16.70
100
S/15.34
500
S/14.01
1,000
S/13.31
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
STF24NM60N
STMicroelectronics
1:
S/19.03
2,083 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF24NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
2,083 En existencias
1
S/19.03
10
S/9.89
100
S/8.80
500
S/7.40
1,000
S/7.36
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa
STF35N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/25.15
538 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF35N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa
538 En existencias
1
S/25.15
10
S/13.31
100
S/12.18
500
S/10.63
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU23N80K5
STMicroelectronics
1:
S/24.76
1,945 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU23N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
1,945 En existencias
1
S/24.76
10
S/13.08
100
S/11.95
500
S/11.02
1,000
S/9.77
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
STGW20NC60V
STMicroelectronics
1:
S/13.62
932 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW20NC60V
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
932 En existencias
1
S/13.62
10
S/8.99
100
S/7.43
600
S/6.85
1,200
S/6.66
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs N-CHANNEL MFT
STGW39NC60VD
STMicroelectronics
1:
S/22.07
1,187 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW39NC60VD
STMicroelectronics
IGBTs N-CHANNEL MFT
1,187 En existencias
1
S/22.07
10
S/12.53
100
S/10.39
600
S/8.99
1,200
Ver
1,200
S/8.29
3,000
S/7.86
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1:
S/8.33
4,764 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL110N4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
4,764 En existencias
1
S/8.33
10
S/5.22
100
S/3.43
500
S/2.72
1,000
S/2.42
3,000
S/2.07
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
STL12N60M2
STMicroelectronics
1:
S/9.77
3,363 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL12N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
3,363 En existencias
1
S/9.77
10
S/5.49
100
S/4.24
500
S/3.39
1,000
S/3.13
3,000
S/2.81
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III
STL7DN6LF3
STMicroelectronics
1:
S/10.35
4,754 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7DN6LF3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III
4,754 En existencias
1
S/10.35
10
S/6.70
100
S/4.59
500
S/3.66
1,000
S/3.38
3,000
S/3.15
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
1:
S/15.10
5,586 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
5,586 En existencias
1
S/15.10
10
S/7.63
100
S/6.93
500
S/5.68
3,000
S/5.29
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-VHV-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
STL7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/9.26
5,158 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
5,158 En existencias
1
S/9.26
10
S/5.92
100
S/4.87
500
S/4.20
1,000
S/4.05
3,000
S/3.87
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
1:
S/22.65
1,455 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
1,455 En existencias
1
S/22.65
10
S/11.87
100
S/10.82
500
S/9.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
STP12NM50FP
STMicroelectronics
1:
S/19.85
1,245 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP12NM50FP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
1,245 En existencias
1
S/19.85
10
S/11.25
100
S/9.46
500
S/9.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
STP20N65M5
STMicroelectronics
1:
S/16.47
959 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
959 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/16.47
10
S/8.49
100
S/7.67
500
S/6.31
1,000
Ver
1,000
S/5.80
2,000
S/5.45
5,000
S/5.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp
STP24NF10
STMicroelectronics
1:
S/9.15
5,178 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP24NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp
5,178 En existencias
1
S/9.15
10
S/5.14
100
S/3.93
500
S/3.16
1,000
Ver
1,000
S/2.71
2,000
S/2.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Perú
