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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 109

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Marca = Advanced Linear Devices

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

ALD910027SAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.45
42En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910027SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910027SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V

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Hoja de datos

42En existencias

S/31.45

S/15.10

S/15.06

S/15.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD910022SALI
Advanced Linear Devices
1: S/28.34
119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910022SALI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910022SALI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

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Hoja de datos

119En existencias

S/28.34

S/22.69

S/18.37

S/16.31

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

ALD110900PAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.88
4En existencias
50Se espera el 25/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
ALD110900PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110900PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

4En existencias

50Se espera el 25/09/2026

S/31.88

S/25.50

S/20.59

S/18.29

S/16.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms, 500 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

ALD810030SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/40.21
13En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810030SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810030SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY

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13En existencias

Cinta cortada

S/40.21

S/26.12

Envase tipo carrete

S/26.12

S/20.01

S/19.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

SMD/SMT

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

3 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Depletion

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V

ALD910025SAL
Advanced Linear Devices
1: S/28.49
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910025SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910025SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V

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Hoja de datos

50En existencias

S/28.49

S/18.92

S/15.30

S/13.62

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808PCL
Advanced Linear Devices
1: S/35.38
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

20En existencias

S/35.38

S/24.95

S/20.79

S/18.53

S/17.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

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500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900ASAL
Advanced Linear Devices
1: S/37.17
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

17En existencias

S/37.17

S/26.24

S/21.88

S/19.46

S/18.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908SAL
Advanced Linear Devices
1: S/29.70
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

6En existencias

S/29.70

S/23.78

S/19.23

S/17.09

S/15.14

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310702ASCL
Advanced Linear Devices
1: S/49.71
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310702ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310702ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

43En existencias

S/49.71

S/38.89

S/32.39

S/28.84

S/26.98

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.14 kOhms

- 8 V, 8 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900SAL
Advanced Linear Devices
1: S/29.70
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

25En existencias

S/29.70

S/23.78

S/19.23

S/17.09

S/15.14

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

ALD310700SCL
Advanced Linear Devices
1: S/40.87
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD310700SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD310700SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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Hoja de datos

26En existencias

S/40.87

S/26.12

S/21.72

S/21.10

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

P-Channel

4 Channel

8 V

80 mA

1.1 kOhms

- 8 V, 8 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

ALD810025SCLI
Advanced Linear Devices
1: S/33.01
1,139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810025SCLI

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810025SCLI

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V

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Hoja de datos

1,139En existencias

S/33.01

S/18.02

S/17.71

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

- 40 C

+ 85 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

ALD1103PBL
Advanced Linear Devices
1: S/49.16
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1103PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1103PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

Hoja de datos

43En existencias

S/49.16

S/27.95

S/25.85

S/22.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel, P-Channel

4 Channel

12 V

16 mA, 40 mA

50 Ohms, 180 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

ALD1105PBL
Advanced Linear Devices
1: S/31.37
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1105PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1105PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

Hoja de datos

79En existencias

S/31.37

S/25.11

S/20.32

S/18.06

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel, P-Channel

4 Channel

12 V

2 mA, 4.8 mA

350 Ohms, 1.2 kOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array

ALD1106PBL
Advanced Linear Devices
1: S/35.93
40En existencias
100Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
ALD1106PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1106PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array

Hoja de datos

40En existencias

100Se espera el 4/09/2026

S/35.93

S/21.68

S/18.22

S/15.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

N-Channel

4 Channel

12 V

4.8 mA

350 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array

ALD1107PBL
Advanced Linear Devices
1: S/36.20
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1107PBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1107PBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel Array

Hoja de datos

55En existencias

S/36.20

S/22.11

S/18.57

S/15.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-14

P-Channel

4 Channel

12 V

2 mA

1.2 kOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch

ALD110800APCL
Advanced Linear Devices
1: S/46.98
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD110800APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD110800APCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos

50En existencias

S/46.98

S/36.78

S/30.60

S/27.29

S/25.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10 V

12 mA

500 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900PAL
Advanced Linear Devices
1: S/36.55
32En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

32En existencias

S/36.55

S/20.44

S/18.76

S/17.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V

ALD810027SCL
Advanced Linear Devices
1: S/30.48
58En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810027SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810027SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V

Obtenga más información

Hoja de datos

58En existencias

S/30.48

S/24.41

S/19.73

S/17.56

S/15.53

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

23 Ohms

- 12 V, 12 V

2.72 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V

ALD910024SAL
Advanced Linear Devices
1: S/28.49
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD910024SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD910024SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V

Obtenga más información

Hoja de datos

75En existencias

S/28.49

S/18.92

S/15.30

S/13.62

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

300 Ohms

- 12 V, 12 V

2.42 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

ALD210800ASCL
Advanced Linear Devices
1: S/45.19
13En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210800ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210800ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Hoja de datos

13En existencias

S/45.19

S/29.70

S/22.81

S/22.19

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

20 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900APAL
Advanced Linear Devices
1: S/42.00
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212900APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212900APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Hoja de datos

6En existencias

S/42.00

S/30.56

S/25.46

S/22.69

S/21.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

0 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

ALD810022SCL
Advanced Linear Devices
1: S/32.00
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810022SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810022SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

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Hoja de datos

6En existencias

S/32.00

S/21.29

S/17.20

S/15.30

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.22 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V

ALD810025SCL
Advanced Linear Devices
1: S/30.40
39En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD810025SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD810025SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V

Obtenga más información

Hoja de datos

39En existencias

S/30.40

S/17.98

S/14.99

S/13.55

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

400 Ohms

- 12 V, 12 V

2.52 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

SAB

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

ALD1103SBL
Advanced Linear Devices
1: S/46.55
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD1103SBL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD1103SBL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P&N-Ch. Pair

Hoja de datos

45En existencias

S/46.55

S/35.30

S/29.43

S/26.20

S/24.52

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-14

N-Channel, P-Channel

4 Channel

12 V

16 mA, 40 mA

50 Ohms, 180 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
400 mV
420 mV
780 mV
820 mV
1.4 V
1.62 V
1.72 V
1.82 V
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2.02 V
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