Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPB029N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.90
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB029N06NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,545 En existencias
1
S/13.90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
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S/11.44
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD028N06NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,199 En existencias
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S/11.44
10
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S/3.87
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
1:
S/12.26
20,602 En existencias
N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
20,602 En existencias
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S/12.26
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S/9.81
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
13,292 En existencias
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S/12.07
10
S/7.79
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S/5.33
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S/4.36
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S/3.88
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S/4.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPB013N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB013N06NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
809 En existencias
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S/22.69
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S/12.18
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800
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPD029N04NF2SATMA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
3,047 En existencias
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S/8.14
10
S/4.87
100
S/3.40
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S/2.79
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S/2.31
10,000
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S/2.55
10,000
S/2.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D
PSMN029-100HLX
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Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D
3,550 En existencias
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S/11.56
10
S/7.12
100
S/4.83
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S/4.44
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S/4.09
3,000
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S/4.01
9,000
S/2.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPB015N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
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S/19.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,097 En existencias
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S/19.23
10
S/11.21
100
S/8.33
500
S/7.79
800
S/7.75
2,400
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S/7.55
4,800
S/7.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
30,959 En existencias
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S/10.00
10
S/5.76
100
S/4.28
500
S/3.56
2,500
S/2.81
5,000
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S/3.27
5,000
S/2.68
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S/2.67
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPF012N06NF2SATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
782 En existencias
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S/23.55
10
S/13.74
100
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500
S/9.85
800
S/9.19
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPD038N06NF2SATMA1
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3,416 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD038N06NF2SATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,416 En existencias
1
S/8.80
10
S/5.18
100
S/3.66
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S/3.19
2,000
S/2.92
10,000
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1,000
S/3.09
10,000
S/2.91
24,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06N
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,033 En existencias
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1
S/17.79
10
S/11.68
100
S/8.68
500
S/7.36
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S/6.62
2,000
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S/6.34
5,000
S/6.31
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.35
1,560 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,560 En existencias
Embalaje alternativo
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S/16.35
10
S/10.86
100
S/7.75
500
S/6.70
1,000
S/6.31
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.47
8,709 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-P019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
8,709 En existencias
1
S/10.47
10
S/5.14
100
S/4.63
500
S/3.69
1,000
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1,000
S/3.57
10,000
S/3.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A
SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/10.98
5,903 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIRA20BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A
5,903 En existencias
1
S/10.98
10
S/5.41
100
S/4.87
500
S/3.93
1,000
S/3.77
3,000
S/3.46
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.18
1,067 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,067 En existencias
1
S/21.18
10
S/13.43
100
S/10.12
500
S/8.99
1,000
S/8.49
2,000
S/7.32
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
+2 imágenes
BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.41
55,985 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-BSO220N03MDGXUMA
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
55,985 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.41
10
S/3.34
100
S/2.20
500
S/1.73
2,500
S/1.34
5,000
Ver
1,000
S/1.52
5,000
S/1.19
10,000
S/1.15
25,000
S/1.11
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K
DMP68D1LV-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.09
2,821 En existencias
3,000 Se espera el 16/08/2027
N.º de artículo de Mouser 621-DMP68D1LV-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K
2,821 En existencias
3,000 Se espera el 16/08/2027
1
S/1.09
10
S/0.592
100
S/0.549
1,000
S/0.541
3,000
S/0.479
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
+2 imágenes
BSP149H6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.34
31,639 En existencias
10,800 Se espera el 18/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSP149H6327XTSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
31,639 En existencias
10,800 Se espera el 18/08/2026
Embalaje alternativo
1
S/6.34
10
S/3.47
100
S/2.44
500
S/1.99
1,000
S/1.70
2,000
Ver
2,000
S/1.57
5,000
S/1.47
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB010N06N
Infineon Technologies
1:
S/30.83
2,369 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB010N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
2,369 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/30.83
10
S/20.63
100
S/16.58
500
S/14.75
1,000
S/13.20
2,000
Ver
2,000
S/13.16
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK
BUK9Y8R8-60ELX
Nexperia
1:
S/9.50
7,202 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-BUK9Y8R8-60ELX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK
7,202 En existencias
1
S/9.50
10
S/6.03
100
S/4.09
500
S/3.29
1,500
S/2.81
9,000
Ver
1,000
S/2.95
9,000
S/2.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D
PSMN013-60HLX
Nexperia
1:
S/9.38
1,449 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PSMN013-60HLX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D
1,449 En existencias
1
S/9.38
10
S/5.99
100
S/4.67
500
S/3.75
1,500
S/2.32
3,000
Ver
1,000
S/2.65
3,000
S/2.13
9,000
S/2.06
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
+1 imagen
SPW47N65C3
Infineon Technologies
1:
S/49.79
260 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-SPW47N65C3
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
260 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D
PSMN033-100HLX
Nexperia
1:
S/10.47
2,679 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PSMN033-100HLX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D
2,679 En existencias
1
S/10.47
10
S/6.77
100
S/4.71
500
S/3.78
1,500
S/2.67
3,000
Ver
3,000
S/2.14
9,000
S/2.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.77
7,129 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
7,129 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.77
10
S/7.51
100
S/5.76
500
S/4.90
2,500
S/3.97
5,000
Ver
1,000
S/4.79
5,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Perú
