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MCTK075N60FH-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCTK075N60FH-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCTK075N60FH-TP
Price: 22.93 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCTK075N60FH-TP

Fabricante N.º:

MCTK075N60FH-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L-KS

Ciclo de vida:

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	S/22.93	S/22.93
	S/17.32	S/173.20
	S/14.01	S/1,401.00
	S/12.46	S/6,230.00
	S/12.07	S/12,070.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/10.24	S/20,480.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TOLL-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	19.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	81 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	88 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	34 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	57 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	113 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-4-7 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de superunión de canal N de 600 V

Los MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 600 V de Micro Commercial Components (MCC) ofrecen bajo nivel de resistencia de encendido, bajo nivel de pérdida de conducción y conmutación suave. Estos MOSFET están diseñados con un diodo de recuperación inversa rápida integrada. Los MOSFET de potencia de 600 V cuentan con carga de puerta ultrabaja y bajo nivel de impedancia. Estos MOSFET también cumplen con la clasificación de inflamabilidad UL 94V-0 epóxica. Los MOSFET de potencia de 600 V están libres de plomo y halógenos y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores CA-CC, controladores de motores, controladores LED, adaptadores de carga, sistemas de administración de energía, microinversores solares y sistemas de almacenamiento de energía (ESS).