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MCB220N15Y-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCB220N15Y-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCB220N15Y-TP
Price: 22.27 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCB220N15Y-TP

Fabricante N.º:

MCB220N15Y-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos:

MCB220N15Y-TP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/22.27	S/22.27
	S/16.43	S/164.30
	S/11.87	S/1,187.00
	S/11.25	S/11,250.00
	S/11.09	S/55,450.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)
	S/11.09	S/88,720.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	220 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	155 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	312.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	259 ns
Serie:	MCB220N15Y
Cantidad de empaque de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns

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Hoja de datos

MCB220N15Y-TP Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V/200V N-Channel Power MOSFETs

Micro Commercial Components (MCC) 150V/200V N-Channel Power MOSFETs are designed for harsh environments and operate at 150V_ds and 200V_ds drain-source breakdown voltage. These MOSFETs deliver exceptional thermal performance and robust power handling for various industrial and consumer devices. The 150V/200V N-channel power MOSFETs feature optimal performance and efficiency, including low R_DS(on), high power density, and leverage Split-Gate Trench (SGT) technology. These power MOSFETs are halogen-free, meet UL 94V-0 flammability rating, and are lead-free/RoHS compliant. The 150V/200V N-channel power MOSFETs are available in D²PAK and TOLL packages that enhance durability and operation. These N-channel power MOSFETs are ideal for industrial, consumer electronics, and computing applications.