FGY40T120SMD

onsemi
512-FGY40T120SMD
FGY40T120SMD

Fabricante:

Descripción:
IGBTs FS2TIGBT TO247 40A 1200V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/52.20 S/52.20
S/31.68 S/316.80
S/30.05 S/3,005.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.8 V
- 25 V, 25 V
80 A
882 W
- 55 C
+ 175 C
FGY40T120SMD
Tube
Marca: onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector: 40 A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 400 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 7.629 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FGx40T120SMD Field Stop Trench IGBTs

onsemi FGY40T120SMD Field Stop (FS) Trench IGBTs use innovative field stop trench IGBT technology. These IGBTs offer optimum performance for hard switching applications. Typical applications for onsemi FGY40T120SMD IGBTs include solar inverters, uninterruptible power supplies, and power factor correction.

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

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