AS4C256M32MD4V-062BAN

Alliance Memory
913-AS4C256M32MD4V
AS4C256M32MD4V-062BAN

Fabricante:

Descripción:
DRAM LPDDR4X, 8G, 256M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 589

Existencias:
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Las cantidades superiores a 589 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/223.55 S/223.55
S/206.22 S/2,062.20
S/199.37 S/4,984.25
S/194.27 S/9,713.50
S/190.62 S/19,062.00
272 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - LPDDR4X
8 Gbit
32 bit
1.6 GHz
FBGA-200
256 M x 32
3.5 ns
1.06 V
1.95 V
- 40 C
+ 105 C
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 136
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 158 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320036
ECCN:
EAR99

2GB/4GB/8GB/16GB/32GB LPDDR4 SDRAM

Alliance Memory 2GB/4GB/8GB/16GB/32GB LPDDR4 SDRAM is organized as 1 or 2 channels per device, and the individual channel is 8-banks and 16-bits. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is a 16n prefetch architecture with an interface. It's designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. These devices offer fully synchronous operations referenced to the rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 16n bits prefetched to achieve very high bandwidth.

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