Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP18N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
STP46N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP8N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
STU7N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
STW33N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
427 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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STW58N65DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STWA30N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA65N60DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
589 En existencias
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S/28.03
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S/20.71
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S/16.74
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S/14.52
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA70N65DM6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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S/57.57
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S/42.97
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S/37.17
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S/28.77
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
STP15N60M2-EP
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NRND
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NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
1,962 En existencias
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S/9.15
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S/4.05
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S/3.43
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S/2.86
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S/2.51
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S/2.50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD15N60M2-EP
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S/9.03
2,461 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STD15N60M2-EP
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
2,461 En existencias
1
S/9.03
10
S/5.76
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S/4.01
500
S/3.38
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S/2.48
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S/2.83
5,000
S/2.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
360°
+5 imágenes
STD3N65M6
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1:
S/6.50
2,441 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3N65M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
2,441 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.13
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S/2.74
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S/2.25
2,500
S/1.73
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S/2.04
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S/1.67
25,000
S/1.62
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU16N65M2
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1:
S/11.13
818 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
818 En existencias
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S/11.13
10
S/5.18
100
S/4.71
500
S/4.01
1,000
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S/3.43
3,000
S/3.34
24,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU18N65M2
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1:
S/12.22
978 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU18N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
978 En existencias
1
S/12.22
10
S/6.11
100
S/5.53
500
S/4.48
1,000
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S/4.09
2,000
S/3.84
5,000
S/3.79
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STF38N65M5
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1:
S/23.55
431 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
431 En existencias
1
S/23.55
10
S/13.39
100
S/11.99
500
S/10.24
1,000
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S/10.04
25,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD10N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/7.63
2,122 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD10N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
2,122 En existencias
1
S/7.63
10
S/4.87
100
S/3.29
500
S/2.60
2,500
S/2.15
5,000
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1,000
S/2.39
5,000
S/1.99
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU26N60M2
STMicroelectronics
1:
S/13.82
922 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU26N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
922 En existencias
1
S/13.82
10
S/8.95
100
S/6.85
500
S/5.76
1,000
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S/4.63
5,000
S/4.59
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
STB24NM60N
STMicroelectronics
1:
S/27.36
223 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB24NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
223 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
STF19NM50N
STMicroelectronics
1:
S/19.19
556 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF19NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
556 En existencias
1
S/19.19
10
S/10.39
100
S/9.73
500
S/8.41
1,000
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S/7.94
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
STI13NM60N
STMicroelectronics
1:
S/10.47
913 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STI13NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
913 En existencias
1
S/10.47
10
S/6.70
100
S/4.55
500
S/3.81
1,000
Ver
1,000
S/3.23
2,000
S/3.10
5,000
S/3.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1:
S/24.17
244 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-ST8L60N065DM9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
244 En existencias
1
S/24.17
10
S/18.53
100
S/14.99
500
S/13.31
1,000
S/11.41
3,000
S/11.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1:
S/29.70
227 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-ST8L65N044M9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
227 En existencias
1
S/29.70
10
S/20.98
100
S/17.48
500
S/15.57
1,000
S/13.86
3,000
S/13.86
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
STF14NM50N
STMicroelectronics
1:
S/17.91
1,620 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF14NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
1,620 En existencias
1
S/17.91
10
S/8.76
100
S/8.17
500
S/7.24
1,000
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1,000
S/6.62
5,000
S/6.58
25,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
STL21N65M5
STMicroelectronics
1:
S/15.03
2,732 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL21N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
2,732 En existencias
1
S/15.03
10
S/11.99
100
S/10.08
500
S/9.89
1,000
Ver
3,000
S/9.58
1,000
S/9.61
3,000
S/9.58
6,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
STU3N62K3
STMicroelectronics
1:
S/7.63
2,988 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU3N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
2,988 En existencias
1
S/7.63
10
S/3.57
100
S/3.25
500
S/2.74
1,000
Ver
1,000
S/2.34
3,000
S/2.08
6,000
S/2.06
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Perú
