Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
STP24N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
STP2N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STP38N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
STP5N105K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
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STW15N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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STW24N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
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STW33N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB18N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB35N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF10LN80K5
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S/4.87
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
STF6N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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S/2.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
STF6N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
983 En existencias
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S/10.90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU10N80K5
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981 En existencias
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S/14.67
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S/6.31
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL10LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
1,973 En existencias
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S/15.61
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S/10.20
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S/5.76
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S/5.14
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
STL22N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
2,585 En existencias
1
S/16.39
10
S/10.78
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S/7.94
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S/7.08
1,000
S/6.85
3,000
S/5.45
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL33N60DM2
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S/19.93
2,200 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL33N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
2,200 En existencias
1
S/19.93
10
S/14.32
100
S/10.28
500
S/9.96
1,000
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3,000
S/8.14
1,000
S/8.99
3,000
S/8.14
6,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL45N60DM6
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1:
S/28.30
2,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL45N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
2,682 En existencias
1
S/28.30
10
S/19.42
100
S/14.75
500
S/14.52
1,000
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3,000
S/11.72
1,000
S/13.00
3,000
S/11.72
24,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
1:
S/14.13
5,808 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
5,808 En existencias
1
S/14.13
10
S/9.23
100
S/6.46
500
S/5.68
3,000
S/4.79
6,000
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S/5.25
6,000
S/4.59
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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STW13N80K5
STMicroelectronics
1:
S/20.20
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW13N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
508 En existencias
1
S/20.20
10
S/11.87
100
S/8.68
600
S/7.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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STW69N65M5
STMicroelectronics
1:
S/46.17
696 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW69N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
696 En existencias
1
S/46.17
10
S/31.76
100
S/26.94
600
S/26.86
1,200
S/25.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
STD15N65M5
STMicroelectronics
1:
S/11.44
999 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD15N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
999 En existencias
1
S/11.44
10
S/7.40
100
S/5.22
500
S/4.32
1,000
S/3.93
2,500
S/3.53
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD6N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/7.94
2,132 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
2,132 En existencias
1
S/7.94
10
S/5.02
100
S/3.37
500
S/2.76
2,500
S/2.05
5,000
Ver
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S/2.42
5,000
S/1.92
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
STF14N80K5
STMicroelectronics
1:
S/14.83
794 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF14N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
794 En existencias
1
S/14.83
10
S/9.61
100
S/6.85
500
S/5.61
1,000
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S/5.14
2,000
S/4.90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF4LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.91
1,852 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF4LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,852 En existencias
1
S/8.91
10
S/4.36
100
S/3.93
500
S/3.11
1,000
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S/2.75
2,000
S/2.60
5,000
S/2.46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP12N60M2
STMicroelectronics
1:
S/9.11
968 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP12N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
968 En existencias
1
S/9.11
10
S/4.79
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S/3.97
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S/3.21
1,000
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S/2.91
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S/2.69
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S/2.51
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