Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
STF28N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
STF9N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
STP19NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
STP31N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
739 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD6N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
STD7N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
1,325 En existencias
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S/10.04
10
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S/3.67
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S/3.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD8N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1,756 En existencias
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S/2.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
STF10NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
772 En existencias
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S/13.55
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
STH6N95K5-2
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N.º de artículo de Mouser 511-STH6N95K5-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
899 En existencias
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S/13.31
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S/8.72
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S/5.25
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S/4.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
STP22NM60N
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N.º de artículo de Mouser 511-STP22NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
601 En existencias
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S/18.80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
STP24NM60N
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636 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP24NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
636 En existencias
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S/16.19
10
S/7.55
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S/7.12
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S/6.46
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S/5.80
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S/5.68
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S/5.64
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP28N65M2
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1:
S/13.90
503 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP28N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
503 En existencias
1
S/13.90
10
S/6.77
100
S/6.31
500
S/5.53
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S/5.10
2,000
S/4.87
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
+1 imagen
STP33N60M6
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1:
S/19.58
673 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP33N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
673 En existencias
1
S/19.58
10
S/13.00
100
S/9.26
500
S/7.67
1,000
S/7.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
+1 imagen
STP36N60M6
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1:
S/22.34
966 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP36N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
966 En existencias
1
S/22.34
10
S/13.31
100
S/12.73
500
S/10.86
1,000
Ver
1,000
S/9.96
5,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP5N80K5
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1:
S/8.95
1,143 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP5N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1,143 En existencias
1
S/8.95
10
S/3.46
100
S/3.21
500
S/2.85
1,000
Ver
1,000
S/2.69
2,000
S/2.66
5,000
S/2.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
STW88N65M5-4
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1:
S/53.56
166 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW88N65M5-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
166 En existencias
1
S/53.56
10
S/41.30
100
S/36.01
600
S/35.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
STWA75N60M6
STMicroelectronics
1:
S/40.40
492 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STWA75N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
492 En existencias
1
S/40.40
10
S/24.37
100
S/19.42
600
S/19.15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
STY105NM50N
STMicroelectronics
1:
S/97.70
186 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STY105NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
186 En existencias
1
S/97.70
10
S/62.59
100
S/58.74
600
S/58.70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
STB23NM50N
STMicroelectronics
1:
S/18.76
476 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB23NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
476 En existencias
1
S/18.76
10
S/14.67
100
S/10.55
500
S/10.28
1,000
S/8.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
STD5N62K3
STMicroelectronics
1:
S/6.89
1,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD5N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
1,691 En existencias
1
S/6.89
10
S/4.40
100
S/2.94
500
S/2.32
2,500
S/1.84
5,000
Ver
1,000
S/2.13
5,000
S/1.83
25,000
S/1.82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/13.86
707 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
707 En existencias
1
S/13.86
10
S/7.01
100
S/6.34
500
S/5.18
1,000
Ver
1,000
S/4.75
2,000
S/4.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STF7N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.66
1,994 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1,994 En existencias
1
S/6.66
10
S/3.18
100
S/2.84
500
S/2.24
1,000
Ver
1,000
S/2.04
2,000
S/1.88
5,000
S/1.70
10,000
S/1.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
STF7NM60N
STMicroelectronics
1:
S/8.76
575 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
575 En existencias
1
S/8.76
10
S/5.61
100
S/5.22
500
S/4.90
1,000
Ver
1,000
S/4.87
2,000
S/4.67
10,000
S/4.55
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
STF9NM60N
STMicroelectronics
1:
S/9.30
1,712 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF9NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
1,712 En existencias
1
S/9.30
10
S/4.63
100
S/4.13
500
S/3.58
1,000
Ver
1,000
S/3.06
2,000
S/2.76
5,000
S/2.55
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
STMicroelectronics
1:
S/9.19
1,787 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL10N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1,787 En existencias
1
S/9.19
10
S/5.92
100
S/4.05
500
S/3.25
1,000
S/2.97
3,000
S/2.62
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Perú
