.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SiC Semiconductores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMT44R025M2HXTMA2
Infineon Technologies
1: S/43.95
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IMT44R025M2HXTMA2

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726-IMT44R025M2HXTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/43.95

S/28.96

S/25.89

S/23.08

S/21.84

Envase tipo carrete

S/21.84

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: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/74.58
306En existencias
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IMW40R011M2HXKSA1

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726-IMW40R011M2HXKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/74.58

S/44.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/59.94
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IMW40R015M2HXKSA1

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726-IMW40R015M2HXKSA

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S/59.94

S/36.59

S/32.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.31
240En existencias
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IMZA40R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R015M2HXKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/61.31

S/34.68

S/34.37

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Módulos MOSFET CIPOS PRIME

AMM12S54LB2ZXKMA1
Infineon Technologies
1: S/128.92
124En existencias
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AMM12S54LB2ZXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-MM12S54LB2ZXKMA1

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Infineon Technologies

Módulos MOSFET CIPOS PRIME

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Cinta cortada

S/128.92

S/105.21

S/91.08

Envase tipo carrete

S/91.08

S/85.09

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: 176

Módulos MOSFET CIPOS PRIME

AMM12S62LB2ZXKMA1
Infineon Technologies
1: S/131.61
124En existencias
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AMM12S62LB2ZXKMA1

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726-MM12S62LB2ZXKMA1

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Infineon Technologies

Módulos MOSFET CIPOS PRIME

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S/131.61

S/105.37

S/87.74

Envase tipo carrete

S/87.74

S/83.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 176

Módulos MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

BST70B2P4K01-VC
ROHM Semiconductor
1: S/384.03
60En existencias
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BST70B2P4K01-VC

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755-BST70B2P4K01-VC

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ROHM Semiconductor

Módulos MOSFET 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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S/384.03

S/333.70

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GaN FETs Redesign of QPD1004

QPD1004ASR
Qorvo
1: S/518.29
40En existencias
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QPD1004ASR

N.º de artículo de Mouser
772-QPD1004ASR

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Qorvo

GaN FETs Redesign of QPD1004

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S/518.29

S/518.17

S/351.38

Envase tipo carrete

S/351.38

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: 100

GaN FETs Redesign of QPD1011

QPD1011ASR
Qorvo
1: S/262.98
80En existencias
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QPD1011ASR

N.º de artículo de Mouser
772-QPD1011ASR

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Qorvo

GaN FETs Redesign of QPD1011

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80En existencias

Cinta cortada

S/262.98

S/262.94

S/178.28

Envase tipo carrete

S/178.28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25

: 100

GaN FETs Redesign of QPD1014

QPD1014ASR
Qorvo
1: S/315.53
80En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
QPD1014ASR

N.º de artículo de Mouser
772-QPD1014ASR

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Qorvo

GaN FETs Redesign of QPD1014

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Cinta cortada

S/315.53

S/312.41

S/213.97

Envase tipo carrete

S/213.97

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25

: 100

IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5

AFGBG70T65SQDC
onsemi
1: S/39.08
720En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AFGBG70T65SQDC

N.º de artículo de Mouser
863-AFGBG70T65SQDC

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onsemi

IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5

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720En existencias

Cinta cortada

S/39.08

S/26.86

Envase tipo carrete

S/26.86

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80

: 800

Módulos de Diodos 1200 V, 20 A EasyBRIDGE diode module

DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
Infineon Technologies
1: S/241.65
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-2U20N12W1RFB11B

Infineon Technologies

Módulos de Diodos 1200 V, 20 A EasyBRIDGE diode module

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18En existencias

S/241.65

S/196.38

S/164.69

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module

DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
1: S/135.30
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DF100R07W1H5FPB53BPSA2

N.º de artículo de Mouser
726-DFW1H5FPB53BPSA2

Infineon Technologies

Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module

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30En existencias

S/135.30

S/105.10

S/92.41

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos de semiconductores discretos 2B Half- Bridge 48mm

CAB008M12GM3
Wolfspeed
1: S/650.67
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CAB008M12GM3

N.º de artículo de Mouser
941-CAB008M12GM3

Wolfspeed

Módulos de semiconductores discretos 2B Half- Bridge 48mm

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7En existencias

S/650.67

S/529.38

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge

BSM300D12P3E005
ROHM Semiconductor
1: S/5,338.29
4En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSM300D12P3E005

N.º de artículo de Mouser
755-BSM300D12P3E005

NRND

ROHM Semiconductor

Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge

Hoja de datos

4En existencias

S/5,338.29

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET 358A 1200V HALF BRIDGE SIC

BSM400D12P3G002
ROHM Semiconductor
1: S/4,846.16
2En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSM400D12P3G002

N.º de artículo de Mouser
755-BSM400D12P3G002

NRND

ROHM Semiconductor

Módulos MOSFET 358A 1200V HALF BRIDGE SIC

Hoja de datos

2En existencias

S/4,846.16

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B

MCB40P1200LB-TUB
IXYS
1: S/1,074.52
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MCB40P1200LB-TUB

N.º de artículo de Mouser
747-MCB40P1200LB-TUB

IXYS

Módulos MOSFET SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B

Hoja de datos

26En existencias

S/1,074.52

S/859.62

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

MSCSM120DAM31CTBL1NG
Microchip Technology
1: S/330.67
11En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSCSM120DAM31CTBL1NG

N.º de artículo de Mouser
579-M120DAM31CTBL1NG

Microchip Technology

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

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Hoja de datos

11En existencias

S/330.67

S/330.63

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

MSCSM120AM31CTBL1NG
Microchip Technology
1: S/462.16
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSCSM120AM31CTBL1NG

N.º de artículo de Mouser
579-SM120AM31CTBL1NG

Microchip Technology

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

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Hoja de datos

6En existencias

S/462.16

S/461.34

S/456.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227

APT100GT120JU3
Microchip Technology
1: S/133.90
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT100GT120JU3

N.º de artículo de Mouser
494-APT100GT120JU3

Microchip Technology

Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227

Hoja de datos

23En existencias

S/133.90

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET Dual-Channel Augmented Core 2 - 1200V

2ASC-12A2HP
Microchip Technology
1: S/454.10
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2ASC-12A2HP

N.º de artículo de Mouser
579-2ASC-12A2HP

Microchip Technology

Módulos MOSFET Dual-Channel Augmented Core 2 - 1200V

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Hoja de datos

7En existencias

S/454.10

S/438.10

S/429.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology

F48MXTR12C2M2H11BPSA1
Infineon Technologies
1: S/691.54
23En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
F48MXTR12C2M2H11BPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-F48MXTR12C2M2H11

Nuevo producto

Infineon Technologies

Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology

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23En existencias

S/691.54

S/670.33

Min.: 1
Mult.: 1