Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
STD9NM50N
STMicroelectronics
1:
S/7.32
7,196 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
7,196 En existencias
1
S/7.32
10
S/4.67
100
S/3.14
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S/2.48
2,500
S/1.99
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S/2.30
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S/1.95
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S/1.86
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
STF20N65M5
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1:
S/13.74
5,856 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
5,856 En existencias
1
S/13.74
10
S/6.19
100
S/5.80
500
S/5.14
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S/4.75
2,000
S/4.48
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL16N60M2
STMicroelectronics
1:
S/11.76
3,126 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
3,126 En existencias
1
S/11.76
10
S/7.63
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S/5.29
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S/4.44
3,000
S/3.86
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S/3.59
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL24N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/15.96
7,722 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
7,722 En existencias
1
S/15.96
10
S/10.47
100
S/7.47
500
S/6.11
3,000
S/5.68
6,000
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S/5.72
6,000
S/5.49
9,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STP11NM80
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1:
S/17.75
1,973 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1,973 En existencias
1
S/17.75
10
S/12.34
100
S/11.76
500
S/11.02
1,000
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S/10.98
2,000
S/10.90
10,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STP20N90K5
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1:
S/20.44
1,644 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1,644 En existencias
1
S/20.44
10
S/14.09
100
S/13.51
500
S/12.96
1,000
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S/12.92
2,000
S/12.85
5,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
+1 imagen
STW45N65M5
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1:
S/26.08
350 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW45N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
350 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
STW65N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/26.94
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
508 En existencias
1
S/26.94
10
S/18.84
100
S/15.18
600
S/13.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
+1 imagen
STWA40N95DK5
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1:
S/59.98
600 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STWA40N95DK5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
600 En existencias
1
S/59.98
10
S/36.82
100
S/31.49
600
S/31.45
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
+1 imagen
STWA88N65M5
STMicroelectronics
1:
S/51.03
316 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STWA88N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
316 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
STB12NM50T4
STMicroelectronics
1:
S/19.46
2,446 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB12NM50
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
2,446 En existencias
1
S/19.46
10
S/14.13
100
S/10.47
500
S/9.89
1,000
S/8.21
5,000
S/7.90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
STB32NM50N
STMicroelectronics
1:
S/19.77
1,997 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB32NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
1,997 En existencias
1
S/19.77
10
S/13.16
100
S/9.38
500
S/8.91
1,000
S/7.55
2,000
Ver
2,000
S/7.28
10,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
STB33N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/20.47
912 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
912 En existencias
1
S/20.47
10
S/13.62
100
S/9.77
500
S/9.34
1,000
S/7.63
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB40N60M2
STMicroelectronics
1:
S/22.89
2,361 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
2,361 En existencias
1
S/22.89
10
S/15.38
100
S/11.05
500
S/10.90
1,000
S/8.87
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa
STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/22.85
1,260 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa
1,260 En existencias
1
S/22.85
10
S/17.09
100
S/12.49
500
S/12.46
1,000
S/10.55
2,000
Ver
2,000
S/10.16
25,000
Presupuesto
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
STD10NM60N
STMicroelectronics
1:
S/14.64
3,767 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
3,767 En existencias
1
S/14.64
10
S/9.61
100
S/6.73
500
S/5.96
1,000
S/5.49
2,500
S/4.83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF20N90K5
STMicroelectronics
1:
S/28.65
806 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF20N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
806 En existencias
1
S/28.65
10
S/15.61
100
S/14.32
500
S/12.11
1,000
S/12.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
STF24NM60N
STMicroelectronics
1:
S/16.66
2,091 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF24NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
2,091 En existencias
1
S/16.66
10
S/8.02
100
S/7.47
500
S/6.50
1,000
Ver
1,000
S/6.11
5,000
S/5.88
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU23N80K5
STMicroelectronics
1:
S/19.15
1,960 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU23N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
1,960 En existencias
1
S/19.15
10
S/12.65
100
S/11.17
500
S/11.02
1,000
Ver
1,000
S/8.91
2,000
S/8.52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
STL12N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.87
3,598 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H
3,598 En existencias
1
S/8.87
10
S/5.72
100
S/3.89
500
S/3.13
3,000
S/2.58
6,000
Ver
1,000
S/2.92
6,000
S/2.50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
STL38N65M5
STMicroelectronics
1:
S/25.30
2,750 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
2,750 En existencias
1
S/25.30
10
S/17.56
100
S/12.65
500
S/12.57
1,000
S/12.22
3,000
S/10.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
STL7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.10
5,551 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
5,551 En existencias
1
S/8.10
10
S/5.88
100
S/4.44
500
S/3.82
1,000
Ver
3,000
S/3.34
1,000
S/3.78
3,000
S/3.34
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
STP12NM50FP
STMicroelectronics
1:
S/15.73
1,321 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50FP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
1,321 En existencias
1
S/15.73
10
S/9.85
100
S/9.30
500
S/8.21
1,000
Ver
1,000
S/8.17
2,000
S/8.02
5,000
S/7.86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
STP20N65M5
STMicroelectronics
1:
S/15.14
969 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
969 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.14
10
S/7.94
100
S/7.20
500
S/5.88
1,000
Ver
1,000
S/5.45
2,000
S/5.22
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
STP42N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
S/27.40
1,144 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP42N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
1,144 En existencias
1
S/27.40
10
S/14.83
100
S/14.25
500
S/12.18
1,000
Ver
1,000
S/11.56
2,000
S/11.17
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles