Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STB13N60M2
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1:
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511-STB13N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
STB13N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
STB15N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
STB18N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
STB20N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
STB20N95K5
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511-STB20N95K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
STB23N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
STB25N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
1,460 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V
STB26NM60N
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913 En existencias
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511-STB26NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V
913 En existencias
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S/30.17
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
STB28NM50N
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922 En existencias
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511-STB28NM50N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
922 En existencias
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S/30.17
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S/21.29
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S/14.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB33N60M2
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1:
S/18.88
1,387 En existencias
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511-STB33N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,387 En existencias
1
S/18.88
10
S/12.46
100
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S/6.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STB37N60DM2AG
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1:
S/29.62
1,223 En existencias
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511-STB37N60DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
1,223 En existencias
1
S/29.62
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S/20.90
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S/13.82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB41N40DM6AG
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1:
S/28.26
439 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB41N40DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
439 En existencias
1
S/28.26
10
S/19.15
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S/11.72
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp
STB42N65M5
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1:
S/45.15
745 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB42N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp
745 En existencias
1
S/45.15
10
S/35.30
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S/29.43
500
S/26.24
1,000
S/22.27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in
STB43N65M5
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1:
S/36.78
2,136 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB43N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in
2,136 En existencias
1
S/36.78
10
S/27.36
100
S/22.77
500
S/20.32
1,000
S/18.10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package
STB45N30M5
STMicroelectronics
1:
S/29.47
1,655 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N30M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package
1,655 En existencias
1
S/29.47
10
S/20.16
100
S/15.34
500
S/15.30
1,000
S/12.88
2,000
S/12.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STB45N40DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/30.01
1,292 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N40DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
1,292 En existencias
1
S/30.01
10
S/21.18
100
S/17.63
500
S/15.73
1,000
S/14.01
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/28.73
1,419 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
1,419 En existencias
1
S/28.73
10
S/20.24
100
S/16.89
500
S/15.03
1,000
S/13.39
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
STB46N30M5
STMicroelectronics
1:
S/36.67
962 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB46N30M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
962 En existencias
1
S/36.67
10
S/27.25
100
S/22.73
500
S/20.24
1,000
S/18.02
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB47N50DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/24.76
995 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB47N50DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
995 En existencias
1
S/24.76
10
S/18.96
100
S/15.34
500
S/13.62
1,000
S/11.68
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
STB57N65M5
STMicroelectronics
1:
S/42.62
882 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
882 En existencias
1
S/42.62
10
S/33.32
100
S/27.79
500
S/24.76
1,000
S/21.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
STB80N20M5
STMicroelectronics
1:
S/22.38
32 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB80N20M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
32 En existencias
1
S/22.38
10
S/16.93
100
S/13.70
500
S/13.62
1,000
S/11.56
2,000
Ver
2,000
S/11.25
5,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD10LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/14.25
2,249 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD10LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
2,249 En existencias
1
S/14.25
10
S/9.30
100
S/7.28
500
S/6.07
1,000
S/5.22
2,500
S/4.94
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STD10N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.27
11,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
11,800 En existencias
1
S/6.27
10
S/3.97
100
S/2.65
500
S/2.21
2,500
S/1.88
25,000
S/1.60
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
STD11NM50N
STMicroelectronics
1:
S/11.33
1,781 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
1,781 En existencias
1
S/11.33
10
S/7.32
100
S/5.25
500
S/4.40
2,500
S/3.56
5,000
Ver
1,000
S/4.16
5,000
S/3.53
10,000
S/3.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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