TO-252-2 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 1A 3-Term POS Reg Output 1A
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27,020En pedido
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Máx.: 770
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GeneSiC Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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9,750Se espera el 22/07/2026
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Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO LDO BJT HiCurr 1.15V at 1A
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7,500Existencias en fábrica disponibles
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Diodes Incorporated AP2114DA-3.3TRG1
Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO 1.5MHz CMOS LDO 2.5V to 5V 600mV
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10,000Existencias en fábrica disponibles
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Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 1A 3-Term POS Reg 29V 9V 61dB 3.2mA
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No en existencias
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: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO LDO BJT HiCurr
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 2,500

Diodes Incorporated Rectificadores FRED GPP Rectifier TO252 T&R 2.5K
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Diodes Incorporated Rectificadores FRED GPP Rectifier TO252 T&R 2.5K
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 520mOhm DPAK-2L
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 330mOhm DPAK-2L
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,500
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: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 260mOhm DPAK-2L
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 210mOhm DPAK-2L
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 170mOhm DPAK-2L
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 500
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: 500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNSafe 650V 18mOhm(typ) TOLT GaN Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNSafe 650V 18mOhm(typ) TOLT GaN Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 450
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: 450

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 4A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
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No en existencias
Min.: 2,500
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: 2,500

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 6A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
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No en existencias
Min.: 2,500
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: 2,500

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 8A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
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No en existencias
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Mult.: 1
: 2,500

Littelfuse IXFY36N20X3-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-252D
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Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 2,500
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: 2,500

Littelfuse IXTY14N60X2-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252
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Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 2,500
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: 2,500

Littelfuse IXTY15P15T-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT PChan-Trench Gate TO-252D
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Littelfuse IXTY2N65X2-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY2N65X2 TRL
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500