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TO-247-3 Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
1: S/113.54
315En existencias
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IXTX400N20X4

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747-IXTX400N20X4

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

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S/113.54

S/91.63

S/80.15

S/75.55

Min.: 1
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

NTHL023N065M3S
onsemi
1: S/48.50
3,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL023N065M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL023N065M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

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S/48.50

S/34.10

S/24.48

Min.: 1
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SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248

VS-70TPS16-M3
Vishay Semiconductors
1: S/60.41
973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-70TPS16-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-70TPS16-M3

Vishay Semiconductors

SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248

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973En existencias

S/60.41

S/46.01

S/38.30

S/34.14

S/32.35

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

VS-3C20CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/29.66
512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C20CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C20CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC

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512En existencias

S/29.66

S/16.31

S/13.90

S/12.57

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: S/15.41
23,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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23,399En existencias

S/15.41

S/8.68

S/6.07

S/5.49

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/27.52
374En existencias
600Se espera el 8/09/2026
Nuevo producto

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STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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374En existencias

600Se espera el 8/09/2026

S/27.52

S/18.41

S/14.79

S/13.16

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Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3

BSDW20G120C2
Bourns
1: S/43.13
2,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSDW20G120C2

N.º de artículo de Mouser
652-BSDW20G120C2

Bourns

Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3

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2,918En existencias

S/43.13

S/30.48

S/25.42

S/21.95

S/21.91

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IGBTs IXYH55N120C4H1

IXYH55N120C4H1
IXYS
1: S/76.45
629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH55N120C4H1

N.º de artículo de Mouser
576-IXYH55N120C4H1

IXYS

IGBTs IXYH55N120C4H1

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S/76.45

S/51.69

S/44.69

S/42.39

S/40.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

FCH190N65F-F155
onsemi
1: S/30.17
5,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH190N65F-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH190N65F_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

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S/30.17

S/20.47

S/14.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.56
2,656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/30.44

S/26.39

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MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NVHL020N120SC1
onsemi
1: S/203.69
893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

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S/203.69

S/138.34

S/135.15

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Min.: 1
Mult.: 1

Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier

MBR40100WT
Littelfuse
1: S/22.07
7,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MBR40100WT

N.º de artículo de Mouser
576-MBR40100WT

Littelfuse

Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier

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S/22.07

S/14.83

S/11.68

S/11.13

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.02
7,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKW40N65ET7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKW40N65ET7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

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S/21.02

S/11.79

S/9.42

S/8.56

S/8.37

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/108.64
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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S/108.64

S/70.57

Min.: 1
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IGBTs TO247 1200V 85A XPT

IXYH85N120A4
IXYS
1: S/88.05
1,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH85N120A4

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4

IXYS

IGBTs TO247 1200V 85A XPT

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S/88.05

S/55.66

S/54.69

Min.: 1
Mult.: 1

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC

VS-3C16CP07L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/26.04
886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VS-3C16CP07L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C16CP07L-M3

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC

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S/26.04

S/15.80

S/12.14

S/10.47

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Mult.: 1

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/93.11
1,090En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

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S/93.11

S/59.09

S/51.65

S/51.15

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

IKQ100N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.06
1,112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKQ100N120CS7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKQ100N120CS7XKS

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

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1,112En existencias

S/50.06

S/30.13

S/26.39

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

IKQ120N120CS7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/42.58
531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKQ120N120CS7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKQ120N120CS7XKS

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package

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531En existencias

S/42.58

S/31.37

S/30.91

S/28.06

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3

NTHL030N120M3S
onsemi
1: S/44.22
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL030N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL030N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3

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S/44.22

S/31.57

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V

IXTH30N60L2
IXYS
1: S/88.05
5,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH30N60L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH30N60L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V

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5,113En existencias

S/88.05

S/59.63

S/58.66

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

FDH44N50
onsemi
1: S/41.81
6,574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDH44N50

N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

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6,574En existencias

S/41.81

S/24.91

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier

MBR6045WT
Littelfuse
1: S/21.91
11,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MBR6045WT

N.º de artículo de Mouser
576-MBR6045WT

Littelfuse

Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier

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11,735En existencias

S/21.91

S/12.81

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL

AFGHL40T65SQD
onsemi
1: S/27.99
6,642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFGHL40T65SQD

N.º de artículo de Mouser
863-AFGHL40T65SQD

onsemi

IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL

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6,642En existencias

S/27.99

S/15.22

S/12.73

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

NTHL110N65S3F
onsemi
1: S/34.95
9,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL110N65S3F

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL110N65S3F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V

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9,611En existencias

S/34.95

S/20.51

S/18.92

Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-3 Semiconductores

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