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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 325

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta = TDSON-8

Fabricante

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.64
2,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC16DP15LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC16DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

2,833En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/7.40

S/5.61

S/5.10

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

P-Channel

1 Channel

150 V

22 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
14,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

14,647En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/6.34

S/4.75

S/4.13

Ver

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
48,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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Hoja de datos

48,955En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.16

Ver

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

133 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.05
23,297En existencias
35,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

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Hoja de datos

23,297En existencias

35,000Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/11.05

S/7.12

S/4.90

S/4.01

Ver

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: S/5.88
121,148En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

121,148En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.61

S/2.38

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/11.09
4,820En existencias
5,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,820En existencias

5,000Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/11.09

S/7.12

S/4.83

S/4.09

Ver

Envase tipo carrete

S/3.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1: S/8.80
4,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

4,909En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.61

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.42

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.71
9,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC084P03NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC084P03NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

Hoja de datos

9,010En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.75

S/3.13

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78.6 A

6.1 mOhms

- 25 V, 25 V

3.1 V

57.7 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.49
4,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L35AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

4,874En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.45

S/3.67

S/2.92

Ver

Envase tipo carrete

S/2.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

45 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

17.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC066N06NS
Infineon Technologies
1: S/8.06
9,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC066N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

9,267En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.06

S/3.32

S/2.64

Ver

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

6.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1: S/10.12
4,806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22A

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

Obtenga más información

Hoja de datos

4,806En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
9,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032NE2LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

9,064En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.31

S/1.66

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.34
9,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

9,726En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.63

Ver

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: S/13.51
3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,510En existencias

Cinta cortada

S/13.51

S/8.76

S/6.07

S/5.06

Ver

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.06
4,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0500NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,447En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.75

Ver

Envase tipo carrete

S/2.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.36
20,566En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0501NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0501NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

20,566En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/4.67

S/3.13

S/2.47

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

130 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
4,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC155N06NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,017En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.36

S/3.04

S/2.40

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NSI
Infineon Technologies
1: S/5.14
7,924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

7,924En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/2.71

S/1.94

S/1.62

Ver

Envase tipo carrete

S/1.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.05
2,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6N010ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N010

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,220En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/6.62

S/4.90

S/4.01

Ver

Envase tipo carrete

S/3.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.03 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
3,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3,613En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.72

S/4.05

S/3.20

Ver

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.29 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.77
19,895En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S51R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

19,895En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/5.61

S/4.36

S/3.80

Ver

Envase tipo carrete

S/3.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.10
8,641En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSGATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

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Cinta cortada

S/5.10

S/3.20

S/2.11

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.22

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: S/7.51
9,089En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

9,089En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.32

S/3.02

S/2.49

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Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
14,593En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S412AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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14,593En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.24

S/2.98

S/2.43

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
9,928En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos

9,928En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.09

S/2.71

S/2.12

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7 A
10.9 A
11 A
11.3 A
15.2 A
16 A
19.6 A
20 A
21 A
22 A
23 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
32 A
33 A
36 A
39 A

500 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
910 uOhms
950 uOhms
960 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.12 mOhms
1.13 mOhms
1.15 mOhms

1 V
1.1 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V
3 V
3.1 V
3.15 V
3.2 V

5.6 nC
7 nC
7.4 nC
7.6 nC
8.6 nC
8.7 nC
9 nC
9.1 nC
9.4 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
11 nC
11.1 nC
11.6 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.2 nC
13.4 nC

2.5 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
33 W
34 W
35 W
36 W
37 W
38 W
41 W
42 W
43 W
46 W
48 W
50 W
51 W
52 W