Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50?
PSA2-6+
Mini-Circuits
1:
S/22.42
3,272 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
PSA2-6+
N.º de artículo de Mouser
139-PSA2-6+
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, DC - 7 GHz, 50?
3,272 En existencias
1
S/22.42
20
S/20.20
50
S/18.14
100
S/16.35
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S/14.17
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S/15.22
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.39
139,995 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
139,995 En existencias
1
S/3.39
10
S/1.54
100
S/1.36
500
S/1.04
3,000
S/0.802
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC70-6
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SI1416EDH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
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515,130 En existencias
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78-SI1416EDH-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC70-6
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1
S/2.69
10
S/1.21
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S/0.802
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S/0.611
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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S/3.58
10
S/1.64
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S/1.45
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S/1.11
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S/0.86
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
130,679 En existencias
1
S/3.39
10
S/1.54
100
S/1.36
500
S/1.04
3,000
S/0.802
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
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78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
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1
S/3.04
10
S/1.38
100
S/1.22
500
S/0.926
3,000
S/0.712
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
127,420 En existencias
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78-SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
127,420 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.38
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S/0.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
NVTJD4001NT1G
onsemi
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863-NVTJD4001NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
923,578 En existencias
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1
S/2.02
10
S/0.903
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S/0.79
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S/0.444
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
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SI1467DH-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.36
91,723 En existencias
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781-SI1467DH-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
91,723 En existencias
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1
S/4.36
10
S/2.00
100
S/1.77
500
S/1.37
3,000
S/1.01
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S/1.29
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S/0.961
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Amplificador de RF DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB
QPA0363ATR7
Qorvo
1:
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772-QPA0363ATR7
Qorvo
Amplificador de RF DC-5GHz NF 2.85dB Gain 16.9dB
18,756 En existencias
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1
S/8.72
10
S/8.68
25
S/6.85
100
S/5.41
250
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3,000
S/2.97
250
S/4.48
500
S/3.78
1,000
S/3.63
3,000
S/2.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
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SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.39
295,656 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
295,656 En existencias
1
S/3.39
10
S/1.54
100
S/1.36
500
S/1.04
3,000
S/0.802
9,000
Ver
9,000
S/0.701
24,000
S/0.677
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.39
308,399 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
308,399 En existencias
1
S/3.39
10
S/1.54
100
S/1.36
500
S/1.04
3,000
S/0.802
9,000
Ver
9,000
S/0.701
24,000
S/0.677
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
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SI1467DH-T1-BE3
Vishay
1:
S/4.36
59,532 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
78-SI1467DH-T1-BE3
Fin de vida útil
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
59,532 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.36
10
S/1.71
100
S/1.49
500
S/1.29
1,000
S/1.27
3,000
S/0.946
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3,000
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Traducción - Niveles de tensión NXS0101GW-Q100/SOT363/SC-88
NXS0101GW-Q100H
Nexperia
1:
S/1.52
2,534 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-NXS0101GW-Q100H
Nexperia
Traducción - Niveles de tensión NXS0101GW-Q100/SOT363/SC-88
2,534 En existencias
1
S/1.52
10
S/1.04
25
S/0.923
100
S/0.794
3,000
S/0.619
6,000
Ver
250
S/0.736
500
S/0.701
1,000
S/0.67
6,000
S/0.611
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A
+2 imágenes
SI1965DH-T1-BE3
Vishay
1:
S/2.96
135,204 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
78-SI1965DH-T1-BE3
Fin de vida útil
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2PCH 12V 1.14A
135,204 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.96
10
S/1.84
100
S/1.19
500
S/0.907
1,000
S/0.817
3,000
S/0.619
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3,000
Detalles
Transistores digitales DUAL PNP 200mW
DDA114EU-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.60
61,438 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DDA114EU-F
Diodes Incorporated
Transistores digitales DUAL PNP 200mW
61,438 En existencias
1
S/1.60
10
S/0.705
100
S/0.615
500
S/0.529
1,000
S/0.467
3,000
S/0.284
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Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N+P 30 20V 1A
US6M1TR
ROHM Semiconductor
1:
S/4.36
7,250 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
US6M1TR
N.º de artículo de Mouser
755-US6M1TR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N+P 30 20V 1A
7,250 En existencias
1
S/4.36
10
S/2.01
100
S/1.78
500
S/1.38
3,000
S/0.926
6,000
Ver
1,000
S/1.30
6,000
S/0.915
24,000
S/0.884
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Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Amplificador de RF 50-4000MHz 3V SiGe Gn 12dB -40C +105C
QPA2363CTR7
Qorvo
1:
S/9.03
12,890 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-QPA2363CTR7
Qorvo
Amplificador de RF 50-4000MHz 3V SiGe Gn 12dB -40C +105C
12,890 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.03
10
S/8.99
25
S/7.08
100
S/5.61
3,000
S/3.04
6,000
Ver
250
S/4.59
500
S/3.89
1,000
S/3.69
6,000
S/3.02
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Amplificador de RF DC-3.5GHz NF 3.7dB Gain 12.3dB
QPA4263ATR7
Qorvo
1:
S/13.90
2,837 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-QPA4263ATR7
Qorvo
Amplificador de RF DC-3.5GHz NF 3.7dB Gain 12.3dB
2,837 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.90
10
S/13.78
25
S/10.90
100
S/8.60
250
Ver
3,000
S/4.75
250
S/7.08
500
S/5.99
1,000
S/5.64
3,000
S/4.75
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs SC70-6
+2 imágenes
SI1442DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/2.26
141,412 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI1442DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs SC70-6
141,412 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.26
10
S/1.01
100
S/0.887
500
S/0.666
3,000
S/0.502
9,000
Ver
9,000
S/0.436
24,000
S/0.385
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 40V 200mW
BAS40BRW-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/2.80
32,946 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-BAS40BRW-F
Diodes Incorporated
Rectificadores y diodos Schottky 40V 200mW
32,946 En existencias
1
S/2.80
10
S/1.26
100
S/1.11
3,000
S/1.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
+2 imágenes
BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1:
S/2.92
138,043 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSD235CH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
138,043 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.92
10
S/2.00
100
S/1.27
500
S/0.782
3,000
S/0.502
6,000
Ver
1,000
S/0.588
6,000
S/0.44
9,000
S/0.385
24,000
S/0.304
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1
SSM6N7002CFU,LF
Toshiba
1:
S/1.01
66,753 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002CFULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 2-in-1
66,753 En existencias
1
S/1.01
10
S/0.444
100
S/0.385
500
S/0.319
3,000
S/0.202
6,000
Ver
1,000
S/0.311
6,000
S/0.179
9,000
S/0.163
24,000
S/0.136
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistores digitales 100mA 50V BRT NPN
MUN5231DW1T1G
onsemi
1:
S/1.01
57,611 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-MUN5231DW1T1G
onsemi
Transistores digitales 100mA 50V BRT NPN
57,611 En existencias
1
S/1.01
10
S/0.611
100
S/0.381
500
S/0.28
1,000
S/0.249
3,000
S/0.191
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Amplificador de RF ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
PSA-5454+
Mini-Circuits
1:
S/9.54
708 En existencias
N.º de artículo de Mouser
139-PSA-5454
Mini-Circuits
Amplificador de RF ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
708 En existencias
1
S/9.54
50
S/9.30
100
S/8.99
200
S/8.60
500
S/8.60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles