Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 80A
RS1E350BNTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/13.27
4,431 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RS1E350BNTB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 80A
4,431 En existencias
1
S/13.27
10
S/9.69
100
S/7.59
500
S/6.58
1,000
S/6.11
2,500
S/5.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A
RS6G120BGTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/17.94
7,127 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RS6G120BGTB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 210A
7,127 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 60A HSOP8
RS1P600BETB1
ROHM Semiconductor
1:
S/15.84
1,241 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-RS1P600BETB1
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 60A HSOP8
1,241 En existencias
1
S/15.84
10
S/10.39
100
S/7.75
500
S/6.50
2,500
S/5.64
5,000
Ver
1,000
S/6.15
5,000
S/5.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 12.0A(Id), (4.5V Drive)
RS1L120GNTB
ROHM Semiconductor
1:
S/9.65
13,104 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-RS1L120GNTB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 12.0A(Id), (4.5V Drive)
13,104 En existencias
1
S/9.65
10
S/6.85
100
S/4.67
500
S/3.97
2,500
S/3.30
5,000
Ver
1,000
S/3.50
5,000
S/3.18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Reguladores de tensión LDO AUTOMOTIVE, 125 C OPERATION, 36 V INPUT, 1000 mA VOLTAGE REGULATOR
S-19214BC0A-E8T1U7*1
ABLIC
1:
S/13.31
3,875 En existencias
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
628-S19214BC0AE8T1U7
Pedido especial de fábrica
ABLIC
Reguladores de tensión LDO AUTOMOTIVE, 125 C OPERATION, 36 V INPUT, 1000 mA VOLTAGE REGULATOR
3,875 En existencias
1
S/13.31
10
S/9.93
25
S/9.07
100
S/8.14
250
Ver
4,000
S/5.96
250
S/7.71
500
S/7.51
1,000
S/7.16
2,000
S/6.93
4,000
S/5.96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Reguladores de voltaje de conmutación IC REG LINEAR 3.3V 100MA HSOP-8A
S-19230A33A-E8T1U7
ABLIC
1:
S/21.06
3,847 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
628-S19230A33AE8T1U7
Nuevo producto
ABLIC
Reguladores de voltaje de conmutación IC REG LINEAR 3.3V 100MA HSOP-8A
3,847 En existencias
1
S/21.06
10
S/16.08
25
S/14.83
100
S/13.47
250
Ver
4,000
S/11.72
250
S/12.85
500
S/12.61
1,000
S/12.46
2,000
S/12.30
4,000
S/11.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 40V 18A
RS1G180MNTB
ROHM Semiconductor
1:
S/8.33
1,352 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-RS1G180MNTB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 40V 18A
1,352 En existencias
1
S/8.33
10
S/5.33
100
S/3.61
500
S/2.87
2,500
Ver
1,000
S/2.76
2,500
S/2.69
5,000
S/2.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Reguladores de voltaje de conmutación IC REG LINEAR 5.0V 100MA HSOP-8A
S-19230A50A-E8T1U7
ABLIC
1:
S/21.06
90 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
628-S19230A50AE8T1U7
Nuevo producto
ABLIC
Reguladores de voltaje de conmutación IC REG LINEAR 5.0V 100MA HSOP-8A
90 En existencias
1
S/21.06
10
S/16.08
25
S/14.83
100
S/13.47
250
Ver
4,000
S/11.72
250
S/12.85
500
S/12.61
1,000
S/12.53
2,000
S/12.46
4,000
S/11.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A
HP8KF7HTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/15.73
2,467 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KF7HTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A
2,467 En existencias
1
S/15.73
10
S/10.32
100
S/7.24
500
S/5.99
2,500
S/5.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A
RS6E122BGTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/11.87
2,494 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS6E122BGTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A
2,494 En existencias
1
S/11.87
10
S/7.71
100
S/5.29
500
S/4.28
1,000
S/4.09
2,500
S/3.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 300A
RS6G120CHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/14.87
2,500 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS6G120CHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 40V 300A
2,500 En existencias
1
S/14.87
10
S/9.73
100
S/6.81
500
S/5.57
2,500
S/5.18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET
RS6G122CHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/12.65
2,500 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS6G122CHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 225A, HSOP8, Power MOSFET
2,500 En existencias
1
S/12.65
10
S/8.21
100
S/5.68
500
S/4.59
1,000
S/4.44
2,500
S/4.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 150V 85A
RS6R085CHTB1
ROHM Semiconductor
1:
S/13.66
2,075 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RS6R085CHTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 150V 85A
2,075 En existencias
1
S/13.66
10
S/8.91
100
S/6.19
500
S/5.02
1,000
S/4.94
2,500
S/4.63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Reguladores de voltaje de conmutación 100kHz to 2.4MHz 2.5A 3.6A 2ms
NJW4171GM1-B-TE1
Nisshinbo
1:
S/13.94
6,984 En existencias
N.º de artículo de Mouser
513-NJW4171GM1-B-TE1
Nisshinbo
Reguladores de voltaje de conmutación 100kHz to 2.4MHz 2.5A 3.6A 2ms
6,984 En existencias
1
S/13.94
10
S/10.39
25
S/9.50
100
S/8.52
3,000
S/6.73
6,000
Ver
250
S/8.06
500
S/7.12
1,000
S/6.89
6,000
S/6.66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 2NCH 40V 6A
HP8KB5TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/7.94
2,460 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KB5TB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 2NCH 40V 6A
2,460 En existencias
1
S/7.94
10
S/5.06
100
S/3.40
500
S/2.69
2,500
S/2.35
5,000
Ver
1,000
S/2.47
5,000
S/2.20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 2NCH 60V 12A
HP8KC5TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/7.94
2,500 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KC5TB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 2NCH 60V 12A
2,500 En existencias
1
S/7.94
10
S/5.10
100
S/3.41
500
S/2.71
2,500
S/2.36
5,000
Ver
1,000
S/2.48
5,000
S/2.20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
HP8KE5TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/8.06
2,475 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KE5TB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
2,475 En existencias
1
S/8.06
10
S/5.18
100
S/3.47
500
S/2.75
2,500
S/2.27
5,000
Ver
1,000
S/2.52
5,000
S/2.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
HP8JE5TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/11.68
1,956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8JE5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
1,956 En existencias
1
S/11.68
10
S/7.59
100
S/5.22
500
S/4.20
1,000
S/4.01
2,500
S/3.77
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KB6TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/9.42
5,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KB6TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
5,000 En existencias
1
S/9.42
10
S/6.07
100
S/4.13
500
S/3.29
1,000
S/3.02
2,500
S/2.78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KB7TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/14.40
4,969 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KB7TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,969 En existencias
1
S/14.40
10
S/9.42
100
S/6.58
500
S/5.37
2,500
S/5.06
5,000
Ver
1,000
S/5.33
5,000
S/4.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KC6TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/9.46
4,580 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KC6TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,580 En existencias
1
S/9.46
10
S/6.07
100
S/4.13
500
S/3.29
2,500
S/2.93
5,000
Ver
1,000
S/3.03
5,000
S/2.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KC7TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/14.48
4,956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KC7TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,956 En existencias
1
S/14.48
10
S/9.46
100
S/6.62
500
S/5.37
1,000
S/5.33
2,500
S/5.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KE6TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/9.50
4,870 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KE6TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,870 En existencias
1
S/9.50
10
S/6.11
100
S/4.16
500
S/3.31
2,500
S/2.98
5,000
Ver
1,000
S/3.05
5,000
S/2.87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8MB5TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/8.21
4,945 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8MB5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,945 En existencias
1
S/8.21
10
S/5.25
100
S/3.55
500
S/2.81
2,500
S/2.42
5,000
Ver
1,000
S/2.58
5,000
S/2.33
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/8.21
4,646 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8MC5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,646 En existencias
1
S/8.21
10
S/5.25
100
S/3.55
500
S/2.81
2,500
S/2.42
5,000
Ver
1,000
S/2.58
5,000
S/2.31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles