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N.° de pieza

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5KW AECQ-101 TR13 RoHS

TP5.0SMD60CA-FL
Littelfuse
1: S/27.05
1,836En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP5.0SMD60CA-FL

N.º de artículo de Mouser
576-TP5.0SMD60CA-FL

Nuevo producto

Littelfuse

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5KW AECQ-101 TR13 RoHS

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S/27.05

S/18.18

S/15.03

S/13.35

Envase tipo carrete

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,423En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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7,423En existencias

5,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/9.23

S/5.84

S/3.97

S/3.19

Envase tipo carrete

S/2.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.89
3,010En existencias
6,000Se espera el 10/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH42NE2LM7ZCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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3,010En existencias

6,000Se espera el 10/12/2026

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S/19.89

S/13.04

S/9.73

S/8.17

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Envase tipo carrete

S/7.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1: S/14.79
2,195En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R408RH,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R408RHLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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S/14.79

S/8.64

S/6.77

S/5.68

S/5.41

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S/4.28

MouseReel Disponible

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.14
4,349En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ463EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ463EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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4,349En existencias

S/18.14

S/11.87

S/8.87

S/7.43

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
3,572En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N010GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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S/8.87

S/5.64

S/3.78

S/3.07

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S/2.45

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: 5,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS

4SMF24CA-M3/I
Vishay Semiconductors
1: S/1.95
6,662En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
4SMF24CA-M3/I

N.º de artículo de Mouser
78-4SMF24CA-M3/I

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS

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S/1.95

S/1.37

S/0.67

S/0.561

Envase tipo carrete

S/0.257

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Mult.: 1

: 10,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS

4SMF28CA-M3/I
Vishay Semiconductors
1: S/1.95
6,832En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
4SMF28CA-M3/I

N.º de artículo de Mouser
78-4SMF28CA-M3/I

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS

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6,832En existencias

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S/1.95

S/1.37

S/0.67

S/0.561

Envase tipo carrete

S/0.257

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: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
1,906En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ858AEP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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1,906En existencias

S/7.16

S/4.44

S/2.91

S/2.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.95
690En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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690En existencias

S/14.95

S/9.77

S/7.12

S/5.96

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Mult.: 1

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,18V5%,SMFBIDIRTVS

4SMF18CA-M3/I
Vishay Semiconductors
1: S/1.91
6,678En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
4SMF18CA-M3/I

N.º de artículo de Mouser
78-4SMF18CA-M3/I

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,18V5%,SMFBIDIRTVS

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6,678En existencias

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S/1.91

S/1.32

S/0.646

S/0.537

Envase tipo carrete

S/0.245

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Mult.: 1

: 10,000

Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS

DTHP60B07PT
Diodes Incorporated
1: S/15.49
182En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DTHP60B07PT

N.º de artículo de Mouser
621-DTHP60B07PT

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS

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182En existencias

S/15.49

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS

4SMF10CA-M3/I
Vishay Semiconductors
1: S/1.91
7,940En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
4SMF10CA-M3/I

N.º de artículo de Mouser
78-4SMF10CA-M3/I

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS

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7,940En existencias

Cinta cortada

S/1.91

S/1.32

S/0.646

S/0.537

Envase tipo carrete

S/0.245

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.53
352En existencias
10,000Se espera el 7/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC024N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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352En existencias

10,000Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/12.53

S/8.10

S/5.61

S/4.52

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P06-15L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
1,684En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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1,684En existencias

S/9.93

S/6.31

S/4.28

S/3.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQ4940CEY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
4,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQ4940CEY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4940CEY-T1_BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

4,950En existencias

S/5.14

S/3.16

S/2.07

S/1.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQM120P06-07L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.39
202En existencias
800Se espera el 19/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM120P06-07L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P06-07L_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

202En existencias

800Se espera el 19/08/2026

S/16.39

S/10.74

S/8.02

S/6.73

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Highly efficient functional safety power management integrated circuit for safety-relevant automotive applications

TLF4D985QKV03R1XUMA1
Infineon Technologies
1: S/39.98
111En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TLF4D985QKV03R1XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TLF4D985QKV03R1X

Nuevo producto

Infineon Technologies

Hoja de datos

111En existencias

Cinta cortada

S/39.98

S/31.10

S/28.88

S/26.47

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Envase tipo carrete

S/22.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,900

IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

AFGB30T65RQDN
onsemi
1: S/18.22
666En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AFGB30T65RQDN

N.º de artículo de Mouser
863-AFGB30T65RQDN

Nuevo producto

onsemi

IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

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666En existencias

Cinta cortada

S/18.22

S/11.95

Envase tipo carrete

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.08
828En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

828En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.46

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

MSCSM120XM31RTBL3NG
Microchip Technology
1: S/1,161.44
3En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MSCSM120XM31RTBL3NG

N.º de artículo de Mouser
579-SM120XM31RTBL3NG

Nuevo producto

Microchip Technology

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

Hoja de datos

3En existencias

S/1,161.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.92
658En existencias
3,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

658En existencias

3,000En pedido

S/12.92

S/8.37

S/5.80

S/4.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/21.33
560En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VS-4C12ET07S2LHM3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C12ET07S2LHM3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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Hoja de datos

560En existencias

Cinta cortada

S/21.33

S/13.97

S/10.43

S/7.67

Envase tipo carrete

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

STGI15C60S
STMicroelectronics
1: S/52.67
60En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STGI15C60S

N.º de artículo de Mouser
511-STGI15C60S

Nuevo producto

STMicroelectronics

IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

Hoja de datos

60En existencias

S/52.67

S/40.13

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ138EP-T1_NE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.01
1,995En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ138EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ138EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

1,995En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.52

S/3.24

S/2.80

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

+ 175 C Semiconductores

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