Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20N3GXT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
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S/22.81
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S/17.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB200N25N3GXT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
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S/29.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
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S/19.97
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Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC4000
KITXMC45RELAXV1TOBO1
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Tableros y Juegos de Desarrollo - ARM XMC4000
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Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
XMC4400F64K512BAXQMA1
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Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
914 En existencias
1
S/46.01
10
S/36.08
25
S/33.05
100
S/29.54
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250
S/28.77
500
S/28.57
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S/28.10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
IRFS3206TRRPBF
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N.º de artículo de Mouser 942-IRFS3206TRRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
3,737 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 942-IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
12,145 En existencias
1
S/5.02
10
S/3.49
25
S/3.44
100
S/2.70
800
S/2.05
2,400
S/1.94
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
IRLB3036PBF
Infineon Technologies
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955 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLB3036PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
955 En existencias
1
S/17.17
10
S/11.48
100
S/8.84
500
S/7.75
1,000
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1,000
S/6.50
2,000
S/6.03
10,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1:
S/16.43
5,902 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
5,902 En existencias
1
S/16.43
10
S/10.82
100
S/7.63
500
S/5.99
800
S/5.64
9,600
Ver
9,600
Presupuesto
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
1ED020I12B2XUMA1
Infineon Technologies
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916 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-1ED020I12B2XUMA1
NRND
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
916 En existencias
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1
S/18.68
10
S/14.25
25
S/13.12
100
S/11.87
250
Ver
1,000
S/9.50
250
S/11.29
500
S/10.94
1,000
S/9.50
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
1EDC20I12AHXUMA1
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S/10.47
677 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-1EDC20I12AHXUMA1
NRND
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
677 En existencias
1
S/10.47
10
S/7.82
25
S/7.16
100
S/6.42
1,000
S/5.68
2,000
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2,000
S/5.45
5,000
S/5.37
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.17
358 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-1EDC40I12AHXUMA1
NRND
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 6.8A, UL, SEP Outpu
358 En existencias
1
S/11.17
10
S/8.37
25
S/7.67
100
S/6.89
1,000
S/6.07
2,000
Ver
250
S/6.50
500
S/6.27
2,000
S/5.76
5,000
S/5.72
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
1EDI20I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.96
490 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-1EDI20I12AHXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
490 En existencias
1
S/9.96
10
S/7.43
25
S/6.77
100
S/6.07
1,000
S/5.29
2,000
Ver
250
S/5.76
500
S/5.57
2,000
S/5.06
5,000
S/4.94
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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
2EDN7524FXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.11
5,666 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-2EDN7524FXTMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
5,666 En existencias
1
S/3.11
10
S/2.21
25
S/1.99
100
S/1.75
2,500
S/1.38
7,500
Ver
250
S/1.63
500
S/1.56
1,000
S/1.44
7,500
S/1.36
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC031N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/11.64
12,250 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC031N06NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
12,250 En existencias
1
S/11.64
10
S/7.55
100
S/5.22
500
S/4.36
1,000
Ver
5,000
S/3.55
1,000
S/4.16
2,500
S/4.05
5,000
S/3.55
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
IRFB7546PBF
Infineon Technologies
1:
S/5.72
2,633 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7546PBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
2,633 En existencias
1
S/5.72
10
S/2.42
100
S/2.41
500
S/1.90
1,000
Ver
1,000
S/1.72
2,000
S/1.62
5,000
S/1.43
10,000
S/1.39
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
+2 imágenes
BSS205NH6327XT
Infineon Technologies
1:
S/1.67
8,170 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSS205NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
8,170 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.67
10
S/1.23
100
S/0.697
500
S/0.471
3,000
S/0.315
6,000
Ver
1,000
S/0.358
6,000
S/0.272
9,000
S/0.253
24,000
S/0.226
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
+2 imágenes
BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1:
S/1.48
10,363 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSS214NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
10,363 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.48
10
S/1.10
100
S/0.627
500
S/0.42
3,000
S/0.28
6,000
Ver
1,000
S/0.319
6,000
S/0.241
9,000
S/0.226
24,000
S/0.202
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/17.87
212 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB017N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
212 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.87
10
S/11.95
100
S/9.19
500
S/8.17
1,000
S/6.93
2,000
S/6.54
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1:
S/7.90
522 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB081N06L3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
522 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.90
10
S/5.06
100
S/3.50
500
S/2.96
1,000
S/2.47
2,000
Ver
2,000
S/2.28
5,000
S/2.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
1:
S/11.21
732 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
732 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.21
10
S/7.24
100
S/5.18
500
S/4.36
1,000
S/3.71
2,000
Ver
2,000
S/3.52
5,000
S/3.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB80N04S4-03
Infineon Technologies
1:
S/9.69
735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB80N04S4-03
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
735 En existencias
1
S/9.69
10
S/6.23
100
S/4.28
500
S/3.43
1,000
S/3.05
2,000
Ver
2,000
S/2.77
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
1:
S/8.76
1,526 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1,526 En existencias
1
S/8.76
10
S/5.64
100
S/3.82
500
S/3.06
1,000
S/2.81
2,000
S/2.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies
1:
S/14.01
651 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB80N06S2L07ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
651 En existencias
1
S/14.01
10
S/9.15
100
S/7.01
500
S/5.88
1,000
S/4.55
2,000
S/4.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPB80N06S2L11ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/11.29
773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB80N06S2L11ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
773 En existencias
1
S/11.29
10
S/7.32
100
S/5.06
500
S/4.20
1,000
S/3.65
2,000
S/3.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Perú
