Semiconductores – Mouser Perú

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Infineon Automatic Opening Systems

Infineon Automatic Opening Systems incorporate smart sensors, motor controls, supplies and battery management to automate sliding, swing or garage doors, sun blinds, and gates. When automated, these doors manage opening actions, avoid unintentional opening, control speed and torque, detect objects along paths, as well as perform other functions.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
54,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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54,178En existencias

S/5.68

S/2.68

S/2.39

S/1.87

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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
1: S/12.81
1,474En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2EDL23N06PJ

N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJ

Infineon Technologies

Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

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S/12.81

S/8.33

S/7.67

S/6.58

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Envase tipo carrete

S/4.05

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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

6EDL04N02PR
Infineon Technologies
1: S/17.75
4,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
6EDL04N02PR

N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N02PR

Infineon Technologies

Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT

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S/17.75

S/11.83

S/10.94

S/9.50

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Envase tipo carrete

S/6.19

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Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000

XMC1302T038X0200ABXUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
11,850En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
XMC1302T038X0200ABXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1302T038X0200ABX

Infineon Technologies

Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC1000

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11,850En existencias

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S/11.29

S/8.45

S/7.75

S/6.97

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S/5.92

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

1EDI60N12AFXUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
52,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1EDI60N12AFXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60N12AFXUMA1

Infineon Technologies

Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

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S/7.24

S/5.33

S/4.87

S/4.36

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S/3.66

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Herramientas de desarrollo de interfaz OTHER ACEE

KITMINIWIGGLER3USBTOBO1
Infineon Technologies
1: S/296.18
203En existencias
108Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
KITMINIWIGGLER3USBTOBO1

N.º de artículo de Mouser
726-KIT-MINIWIGG3USB

Infineon Technologies

Herramientas de desarrollo de interfaz OTHER ACEE

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203En existencias

108Se espera el 5/03/2026

S/296.18

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu

1EDC60I12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.36
913En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDC60I12AHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDC60I12AHXUMA1

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu

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S/17.36

S/11.48

S/10.55

S/9.07

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S/6.54

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
1,300En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
1EDI60H12AHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1EDI60H12AHXUMA1

NRND

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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

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S/11.41

S/8.52

S/7.82

S/7.05

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S/5.45

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Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

2EDN8524FXTMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
4,572En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2EDN8524FXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDN8524FXTMA1

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Infineon Technologies

Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS

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S/3.19

S/2.27

S/2.04

S/1.79

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S/1.42

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06LS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.57
35,376En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06LS3 G

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726-BSC028N06LS3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/12.57

S/8.14

S/5.99

S/5.02

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S/4.09

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC059N04LS G
Infineon Technologies
1: S/4.71
5,086En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC059N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/4.71

S/2.93

S/1.93

S/1.53

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S/1.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB065N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/24.21
3,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB065N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB065N15N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

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S/24.21

S/18.57

S/15.03

S/13.43

Envase tipo carrete

S/11.37

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/19.85
1,243En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

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S/19.85

S/13.94

S/10.04

S/8.49

Envase tipo carrete

S/7.86

Presupuesto

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Carrete: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.46
3,710En existencias

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BSC042NE7NS3 G

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726-BSC042NE7NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/12.46

S/8.14

S/6.23

S/5.22

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8

BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
14,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC070N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC070N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8

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S/7.16

S/4.87

S/4.71

S/3.40

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S/2.18

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
14,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC117N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

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S/7.24

S/4.36

S/3.11

S/2.56

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Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB019N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/24.60
1,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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S/24.60

S/18.84

S/15.26

S/13.62

Envase tipo carrete

S/11.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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Cinta cortada

S/19.07

S/12.77

S/9.54

S/9.11

Envase tipo carrete

S/7.43

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB025N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/24.48
715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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715En existencias

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S/24.48

S/18.76

S/15.18

S/13.58

Envase tipo carrete

S/11.52

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.23
1,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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1,565En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/11.44

S/9.26

Envase tipo carrete

S/7.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB030N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/17.71
1,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB030N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB030N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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1,751En existencias

Cinta cortada

S/17.71

S/11.72

S/8.33

S/7.71

Envase tipo carrete

S/6.93

S/6.27

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.88
1,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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1,881En existencias

Cinta cortada

S/15.88

S/10.43

S/7.82

S/6.97

Envase tipo carrete

S/5.88

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/14.79
2,498En existencias
3,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB320N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

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2,498En existencias

3,000Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/14.79

S/9.65

S/7.55

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.37

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

IPB64N25S3-20
Infineon Technologies
1: S/28.30
4,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB64N25S3-20

N.º de artículo de Mouser
726-IPB64N25S3-20

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

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4,079En existencias

Cinta cortada

S/28.30

S/21.10

S/17.09

S/15.26

Envase tipo carrete

S/12.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.06
4,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S2H4ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S2H4ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/15.06

S/9.89

S/6.97

S/6.54

Envase tipo carrete

S/5.57

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

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