Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
SI3477DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/4.40
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N.º de artículo de Mouser 781-SI3477DV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
20,102 En existencias
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S/4.40
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5471DC-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
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1
S/4.40
10
S/1.82
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S/1.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA921EDJ-T1-GE3
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N.º de artículo de Mouser 781-SIA921EDJ-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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S/3.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR414DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
8,737 En existencias
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S/9.15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
SUP53P06-20-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V Power MOSFET
IRFZ48SPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V Power MOSFET
825 En existencias
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S/15.73
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Vds 4.7nC Qg Typ
SI5922DU-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Vds 4.7nC Qg Typ
8,490 En existencias
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S/3.11
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S/0.86
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S/0.568
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA918EDJ-T1-GE3
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759 En existencias
6,000 Se espera el 26/02/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
759 En existencias
6,000 Se espera el 26/02/2026
1
S/2.65
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S/1.10
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S/0.868
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S/0.771
6,000
S/0.611
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S/0.51
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG47N60AE-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
307 En existencias
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S/30.98
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S/20.55
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S/17.28
500
S/15.14
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR180DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
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247 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SIR180DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
247 En existencias
27,000 Se espera el 7/01/2027
1
S/9.26
10
S/6.15
100
S/4.36
500
S/3.48
3,000
S/2.86
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S/3.41
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S/2.82
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR690DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
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1,450 En existencias
6,000 Se espera el 26/02/2026
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1,450 En existencias
6,000 Se espera el 26/02/2026
1
S/6.42
10
S/4.67
100
S/3.61
500
S/3.19
3,000
S/2.67
6,000
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S/3.13
6,000
S/2.61
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
SIS415DNT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/4.67
530 En existencias
3,000 Se espera el 23/03/2026
N.º de artículo de Mouser 78-SIS415DNT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S
530 En existencias
3,000 Se espera el 23/03/2026
1
S/4.67
10
S/2.92
100
S/1.92
500
S/1.49
3,000
S/1.15
6,000
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S/1.32
6,000
S/1.06
9,000
S/0.973
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
SIS435DNT-T1-GE3
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S/2.41
4,407 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIS435DNT-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
4,407 En existencias
1
S/2.41
10
S/2.35
100
S/1.86
500
S/1.46
3,000
S/1.15
6,000
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S/1.32
6,000
S/1.06
9,000
S/0.973
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS10ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.80
14,990 En existencias
15,000 Se espera el 6/03/2026
N.º de artículo de Mouser 78-SISS10ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
14,990 En existencias
15,000 Se espera el 6/03/2026
1
S/5.80
10
S/3.65
100
S/2.43
500
S/1.90
3,000
S/1.52
6,000
Ver
1,000
S/1.74
6,000
S/1.41
9,000
S/1.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS12DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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S/6.81
1,315 En existencias
6,000 Se espera el 23/03/2026
N.º de artículo de Mouser 78-SISS12DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1,315 En existencias
6,000 Se espera el 23/03/2026
1
S/6.81
10
S/4.32
100
S/2.88
500
S/2.36
3,000
S/1.79
6,000
Ver
1,000
S/2.14
6,000
S/1.67
9,000
S/1.64
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS92DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/6.73
869 En existencias
6,000 Se espera el 19/02/2026
N.º de artículo de Mouser 78-SISS92DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
869 En existencias
6,000 Se espera el 19/02/2026
1
S/6.73
10
S/4.32
100
S/2.88
500
S/2.27
3,000
S/1.82
6,000
Ver
1,000
S/2.07
6,000
S/1.70
9,000
S/1.68
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
SIUD412ED-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/1.56
13,202 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIUD412ED-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
13,202 En existencias
1
S/1.56
10
S/0.961
100
S/0.607
500
S/0.452
3,000
S/0.335
6,000
Ver
1,000
S/0.405
6,000
S/0.304
9,000
S/0.257
24,000
S/0.249
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
SUD80460E-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.25
1,973 En existencias
4,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser 78-SUD80460E-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
1,973 En existencias
4,000 Se espera el 2/03/2026
Embalaje alternativo
1
S/5.25
10
S/3.34
100
S/2.21
500
S/1.73
1,000
Ver
1,000
S/1.57
2,000
S/1.44
4,000
S/1.25
10,000
S/1.20
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs TO-263
SUM50010E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/16.11
590 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SUM50010E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs TO-263
590 En existencias
1
S/16.11
10
S/11.95
100
S/8.49
800
S/6.42
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET
SUM60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/15.73
809 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SUM60030E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET
809 En existencias
1
S/15.73
10
S/10.35
100
S/7.28
500
S/5.88
800
S/5.68
2,400
S/5.33
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs TO-220AB
SUP40012EL-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/11.95
585 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SUP40012EL-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs TO-220AB
585 En existencias
1
S/11.95
10
S/5.96
100
S/5.37
500
S/4.32
1,000
Ver
1,000
S/3.74
5,000
S/3.68
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs TO-220AB
SUP50010E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/16.82
628 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SUP50010E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs TO-220AB
628 En existencias
1
S/16.82
10
S/8.64
100
S/7.86
500
S/6.62
1,000
S/5.84
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
SUP70040E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/15.73
737 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SUP70040E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
737 En existencias
1
S/15.73
10
S/10.35
100
S/7.28
500
S/6.93
1,000
S/5.33
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
SUP90220E-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/13.47
388 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SUP90220E-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
388 En existencias
1
S/13.47
10
S/8.80
100
S/6.11
500
S/4.63
1,000
S/4.20
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Optoacopladores de salida de transistores RECOMMENDED ALT SFH6
VO617A-1
Vishay Semiconductors
1:
S/2.10
4,054 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-VO617A-1
Vishay Semiconductors
Optoacopladores de salida de transistores RECOMMENDED ALT SFH6
4,054 En existencias
1
S/2.10
10
S/1.30
100
S/0.876
1,000
S/0.868
2,000
Ver
2,000
S/0.852
4,000
S/0.751
12,000
S/0.529
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Detalles
