TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
1,425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
1,270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4