Semiconductores discretos

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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STF15N95K5
STMicroelectronics
1: S/18.96
671En existencias

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STF15N95K5

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511-STF15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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S/18.96

S/9.26

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S/7.75

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.67
1,794En existencias

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STF6N60M2

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511-STF6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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S/7.67

S/3.69

S/3.30

S/2.62

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

STGWA15H120DF2
STMicroelectronics
1: S/17.94
511En existencias

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STGWA15H120DF2

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511-STGWA15H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

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S/17.94

S/11.87

S/8.45

S/6.77

S/6.38

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IGBT Transistors

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5

STL22N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.39
2,585En existencias

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STL22N65M5

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511-STL22N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/16.39

S/10.78

S/7.94

S/7.08

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

STL38N65M5
STMicroelectronics
1: S/25.30
2,750En existencias

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STL38N65M5

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511-STL38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

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S/25.30

S/17.56

S/12.65

S/12.57

S/12.22

Envase tipo carrete

S/10.51

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

STW13N80K5
STMicroelectronics
1: S/20.20
508En existencias

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STW13N80K5

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511-STW13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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S/20.20

S/11.87

S/8.68

S/7.47

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/46.17
696En existencias

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STW69N65M5

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511-STW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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S/46.17

S/31.76

S/26.94

S/26.86

S/25.18

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STF21N90K5
STMicroelectronics
1: S/29.93
1,728En existencias

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STF21N90K5

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511-STF21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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S/29.93

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S/14.87

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

STI20N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.99
958En existencias

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STI20N65M5

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511-STI20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

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S/14.99

S/7.24

S/5.96

S/5.41

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MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.65
3,803En existencias

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STL18N65M2

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511-STL18N65M2

STMicroelectronics

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S/12.65

S/8.21

S/5.80

S/4.94

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S/4.16

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.83
2,130En existencias

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STL24N60M2

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511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

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S/14.83

S/9.73

S/6.81

S/6.07

S/6.03

Envase tipo carrete

S/4.90

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

STL36N55M5
STMicroelectronics
1: S/23.08
2,984En existencias

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STL36N55M5

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511-STL36N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

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S/23.08

S/16.70

S/12.11

Envase tipo carrete

S/9.85

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

STL40N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.17
2,086En existencias

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STL40N10F7

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511-STL40N10F7

STMicroelectronics

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S/8.17

S/5.22

S/3.60

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.22

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/14.91
855En existencias

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STP24N60DM2

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511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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S/14.91

S/5.92

S/5.84

S/5.76

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STP6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.06
1,797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6N60M2

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511-STP6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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S/8.06

S/3.00

S/2.99

S/2.54

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.66
1,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N60M2

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511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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S/6.66

S/3.18

S/2.84

S/2.24

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.51
1,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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S/13.51

S/6.07

S/5.68

S/5.02

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/2.49
2,896En existencias

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STP2N80K5

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511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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2,896En existencias

S/2.49

S/2.43

S/2.27

S/2.03

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.24
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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483En existencias

S/23.24

S/11.44

S/10.90

S/9.38

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP5N105K5
STMicroelectronics
1: S/12.61
761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N105K5

STMicroelectronics

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761En existencias

S/12.61

S/5.76

S/5.37

S/4.83

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

STW15N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.42
425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

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425En existencias

S/19.42

S/10.78

S/8.37

S/7.90

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STW24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.62
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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860En existencias

S/13.62

S/6.50

S/5.53

S/4.94

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STW33N60M2
STMicroelectronics
1: S/20.47
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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400En existencias

S/20.47

S/12.65

S/8.95

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)

STWA88N65M5
STMicroelectronics
1: S/51.03
316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA88N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)

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316En existencias

S/51.03

S/31.53

S/31.49

Presupuesto

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/12.53
1,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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1,168En existencias

S/12.53

S/4.87

S/4.79

S/4.75

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

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Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
TO-247-4