IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STGWA80H65FB
STMicroelectronics
1:
S/23.82
531 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA80H65FB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
531 En existencias
1
S/23.82
10
S/16.62
100
S/13.47
600
S/9.34
5,400
Ver
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
STL100N10F7
STMicroelectronics
1:
S/11.79
2,978 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL100N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
2,978 En existencias
1
S/11.79
10
S/7.67
100
S/5.29
500
S/4.44
1,000
Ver
3,000
S/3.61
1,000
S/4.05
3,000
S/3.61
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STP12N120K5
STMicroelectronics
1:
S/33.13
1,732 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP12N120K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
1,732 En existencias
1
S/33.13
10
S/18.14
100
S/16.70
500
S/14.52
1,000
S/14.48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
STP150N10F7
STMicroelectronics
1:
S/9.61
3,099 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
3,099 En existencias
1
S/9.61
10
S/5.49
100
S/5.41
500
S/5.18
1,000
Ver
1,000
S/4.94
2,000
S/4.71
5,000
S/4.67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
+1 imagen
STW42N65M5
STMicroelectronics
1:
S/39.43
529 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
529 En existencias
1
S/39.43
10
S/23.39
100
S/20.36
600
S/20.09
1,200
Ver
1,200
S/19.70
3,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
STB100N10F7
STMicroelectronics
1:
S/11.91
1,530 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
1,530 En existencias
1
S/11.91
10
S/7.75
100
S/5.33
500
S/4.48
1,000
S/3.80
2,000
S/3.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
STB10N95K5
STMicroelectronics
1:
S/16.23
4,628 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB10N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
4,628 En existencias
1
S/16.23
10
S/10.70
100
S/7.55
500
S/6.85
1,000
S/5.88
5,000
Ver
5,000
S/5.57
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB40N60M2
STMicroelectronics
1:
S/22.89
2,361 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
2,361 En existencias
1
S/22.89
10
S/15.38
100
S/11.05
500
S/10.90
1,000
S/8.87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
STF100N10F7
STMicroelectronics
1:
S/10.16
2,010 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF100N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
2,010 En existencias
1
S/10.16
10
S/5.80
100
S/4.71
500
S/3.93
1,000
Ver
1,000
S/3.36
2,000
S/3.28
5,000
S/3.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
STL7N80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.10
5,655 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL7N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
5,655 En existencias
1
S/8.10
10
S/5.88
100
S/4.44
500
S/3.82
1,000
Ver
3,000
S/3.34
1,000
S/3.78
3,000
S/3.34
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU6N65M2
STMicroelectronics
1:
S/6.07
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
45 En existencias
1
S/6.07
10
S/2.98
100
S/2.46
500
S/2.04
1,000
Ver
1,000
S/1.74
3,000
S/1.54
9,000
S/1.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
STL4N10F7
STMicroelectronics
1:
S/3.81
923 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
923 En existencias
1
S/3.81
10
S/2.38
100
S/1.55
500
S/1.19
3,000
S/0.911
6,000
Ver
1,000
S/1.05
6,000
S/0.872
9,000
S/0.852
24,000
S/0.845
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
360°
+6 imágenes
STGB40V60F
STMicroelectronics
1:
S/14.21
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGB40V60F
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
74 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.26
100
S/7.24
500
S/6.07
1,000
S/5.22
2,000
S/4.94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/11.02
251 En existencias
1,000 Se espera el 27/07/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
251 En existencias
1,000 Se espera el 27/07/2026
1
S/11.02
10
S/7.08
100
S/5.06
500
S/4.24
1,000
Ver
1,000
S/3.59
2,000
S/3.57
5,000
S/3.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STF7N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.66
1,994 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1,994 En existencias
1
S/6.66
10
S/3.18
100
S/2.84
500
S/2.24
1,000
Ver
1,000
S/2.04
2,000
S/1.88
5,000
S/1.70
10,000
S/1.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
STP24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/13.51
1,056 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
1,056 En existencias
1
S/13.51
10
S/6.07
100
S/5.68
500
S/5.02
1,000
Ver
1,000
S/4.63
2,000
S/4.32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
STP2N80K5
STMicroelectronics
1:
S/2.49
2,896 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
2,896 En existencias
1
S/2.49
10
S/2.43
100
S/2.27
500
S/2.03
1,000
Ver
1,000
S/1.80
2,000
S/1.79
5,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
STP38N65M5
STMicroelectronics
1:
S/23.24
483 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
483 En existencias
1
S/23.24
10
S/11.44
100
S/10.90
500
S/9.38
1,000
Ver
1,000
S/9.03
5,000
S/8.99
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
STP5N105K5
STMicroelectronics
1:
S/12.61
761 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP5N105K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
761 En existencias
1
S/12.61
10
S/5.76
100
S/5.37
500
S/4.83
1,000
Ver
1,000
S/4.48
2,000
S/4.16
10,000
S/4.13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
+1 imagen
STW15N80K5
STMicroelectronics
1:
S/19.42
425 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
425 En existencias
1
S/19.42
10
S/10.78
100
S/8.37
600
S/7.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
+1 imagen
STW24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/13.62
860 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
860 En existencias
1
S/13.62
10
S/6.50
100
S/5.53
600
S/4.94
1,200
S/4.40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
+1 imagen
STW33N60M2
STMicroelectronics
1:
S/20.47
394 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
394 En existencias
1
S/20.47
10
S/12.65
100
S/8.95
600
S/8.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
+1 imagen
STWA88N65M5
STMicroelectronics
1:
S/51.03
316 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STWA88N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
316 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
STB30N65M5
STMicroelectronics
1:
S/27.13
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
1,000 En existencias
1
S/27.13
10
S/18.33
100
S/13.62
500
S/13.58
1,000
S/11.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF12N65M2
STMicroelectronics
1:
S/9.11
1,131 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,131 En existencias
1
S/9.11
10
S/4.79
100
S/3.97
500
S/3.30
1,000
Ver
1,000
S/2.90
2,000
S/2.69
5,000
S/2.60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3