Semiconductores discretos

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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/13.39
163En existencias

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STH140N8F7-2

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511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

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SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/15.76
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STH150N10F7-2

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511-STH150N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH170N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/10.51
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STH170N8F7-2

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511-STH170N8F7-2

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H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
1: S/23.12
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STH275N8F7-2AG

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STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1: S/23.74
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1,000Se espera el 17/02/2026

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STH275N8F7-6AG

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S/11.52

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SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

STL110N10F7
STMicroelectronics
1: S/11.48
656En existencias
3,339Se espera el 13/04/2026

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STL110N10F7

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S/5.29

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PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

STL3N10F7
STMicroelectronics
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S/1.36

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SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STL4N80K5
STMicroelectronics
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STL4N80K5

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PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

STP100N10F7
STMicroelectronics
1: S/10.55
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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP10N105K5
STMicroelectronics
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STP10N105K5

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

STP10N95K5
STMicroelectronics
1: S/15.73
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STP10N95K5

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP11N65M2
STMicroelectronics
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STP11N65M2

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP12N50M2
STMicroelectronics
1: S/8.56
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STP12N50M2

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STP13N60M2
STMicroelectronics
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STP13N60M2

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S/4.83

S/3.34

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

STP13N80K5
STMicroelectronics
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STP13N80K5

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S/9.65

S/7.79

S/5.99

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MOSFETs

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

STP140N8F7
STMicroelectronics
1: S/11.95
219En existencias

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STP140N8F7

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S/11.95

S/5.96

S/5.49

S/4.44

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STP28N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.48
520En existencias

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STP28N60M2

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511-STP28N60M2

STMicroelectronics

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S/14.48

S/7.47

S/6.77

S/5.53

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A

STP45N10F7
STMicroelectronics
1: S/7.71
2,021En existencias

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STP45N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N10F7

STMicroelectronics

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S/7.71

S/3.40

S/3.18

S/2.64

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

STP4N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.60
913En existencias

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STP4N80K5

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511-STP4N80K5

STMicroelectronics

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S/8.60

S/4.20

S/3.74

S/3.37

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP6N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.20
480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/10.20

S/6.50

S/4.44

S/3.71

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STP7N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.97
1,228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N60M2

STMicroelectronics

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S/6.97

S/3.34

S/2.98

S/2.35

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STU2N95K5
STMicroelectronics
1: S/7.79
1,602En existencias

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STU2N95K5

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511-STU2N95K5

STMicroelectronics

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S/7.79

S/3.97

S/3.21

S/2.67

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

STW10N95K5
STMicroelectronics
1: S/18.37
448En existencias

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STW10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW10N95K5

STMicroelectronics

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S/18.37

S/10.28

S/7.16

S/6.66

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TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

STW18N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.48
385En existencias

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STW18N60M2

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511-STW18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/14.48

S/9.42

S/7.40

S/6.19

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

STW18N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.50
701En existencias

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STW18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

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S/11.02

S/8.49

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PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
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TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
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