Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMP4013SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.36
2,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4013SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4013SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.50

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S/2.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W

DMTH6004SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/10.43
1,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W

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S/10.43

S/6.66

S/4.55

S/3.78

S/3.32

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S/3.27

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

DMN1250UFEL-7
Diodes Incorporated
1: S/5.37
2,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN1250UFEL-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1250UFEL-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

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S/5.37

S/3.37

S/2.23

S/1.76

S/1.59

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S/1.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-CH MOSFET

DMP32D4SW-7
Diodes Incorporated
1: S/1.67
15,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP32D4SW-7

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621-DMP32D4SW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-CH MOSFET

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S/1.67

S/1.02

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S/0.483

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S/0.308

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMP4013SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.66
2,341En existencias

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DMP4013SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4013SPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.30

S/2.02

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S/1.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMP6110SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.13
3,141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6110SSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6110SSDQ-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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S/4.13

S/2.58

S/1.69

S/1.31

S/1.18

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S/0.973

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMPH4015SSS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.08
2,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMPH4015SSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMPH4015SSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/7.08

S/4.52

S/3.02

S/2.39

S/2.19

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S/2.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

DMT47M2SFVW-7
Diodes Incorporated
1: S/4.05
3,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT47M2SFVW-7

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621-DMT47M2SFVW-7

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S/4.05

S/2.52

S/1.65

S/1.28

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S/1.00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMT64M2LPSW-13
Diodes Incorporated
1: S/5.96
2,085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT64M2LPSW-13

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621-DMT64M2LPSW-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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S/5.96

S/3.76

S/2.54

S/2.00

S/1.83

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S/1.61

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.75
2,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LPS-13

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S/7.75

S/4.90

S/3.27

S/2.68

S/2.35

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S/2.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMTH4004SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.54
2,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson

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S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.19

S/2.00

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S/1.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH43M8LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/5.92
2,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LFG-7

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621-DMTH43M8LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/5.92

S/3.75

S/2.50

S/1.96

S/1.79

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S/1.60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A

DMTH6004SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/11.72
1,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SPSQ-13

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621-DMTH6004SPSQ-13

Diodes Incorporated

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S/11.72

S/7.59

S/5.25

S/4.40

S/4.09

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S/4.09

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 180V H-Voltage PNP Switching Transistor

FCX555TA
Diodes Incorporated
1: S/3.23
4,145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCX555TA

N.º de artículo de Mouser
522-FCX555TA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 180V H-Voltage PNP Switching Transistor

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S/3.23

S/2.00

S/1.30

S/0.989

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S/0.759

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V

ZVN4206ASTZ
Diodes Incorporated
1: S/4.75
3,147En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZVN4206ASTZ

N.º de artículo de Mouser
522-ZVN4206ASTZ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V

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S/4.75

S/2.94

S/1.93

S/1.49

S/1.35

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S/1.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

ZXMC4559DN8TC
Diodes Incorporated
1: S/9.30
4,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMC4559DN8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

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S/9.30

S/5.96

S/4.05

S/3.37

S/2.97

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S/2.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3A01E6TA
Diodes Incorporated
1: S/3.74
5,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A01E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A01E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS

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S/3.74

S/2.33

S/1.52

S/1.17

S/1.06

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S/0.849

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMC2057UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.06
8,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC2057UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC2057UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/2.06

S/1.26

S/0.829

S/0.607

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S/0.401

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V

DMN1003UCA6-7
Diodes Incorporated
1: S/5.53
2,312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN1003UCA6-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1003UCA6-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V

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2,312En existencias

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S/5.53

S/3.48

S/2.31

S/1.81

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

DMN10H099SFG-13
Diodes Incorporated
1: S/4.28
8,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H099SFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H099SFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

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8,030En existencias

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S/4.28

S/2.65

S/1.73

S/1.33

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.965

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC

DMN2550UFA-7B
Diodes Incorporated
1: S/1.32
17,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2550UFA-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2550UFA-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC

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17,742En existencias

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S/1.32

S/0.798

S/0.502

S/0.374

Envase tipo carrete

S/0.202

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMN3020UTS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.31
4,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3020UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3020UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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4,255En existencias

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S/3.31

S/2.06

S/1.31

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.782

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH MOSFET

DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.94
2,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4025LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4025LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH MOSFET

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2,546En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.10

S/2.05

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.25

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

DMT6008LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/5.68
2,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6008LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6008LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

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2,952En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.59

S/2.39

S/1.91

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

DMTH6005LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.79
1,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

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1,904En existencias

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S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.34

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

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