Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF

DMP1245UFCL-7
Diodes Incorporated
1: S/3.85
4,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP1245UFCL-7

N.º de artículo de Mouser
522-DMP1245UFCL-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF

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S/3.85

S/2.40

S/1.56

S/1.21

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.876

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated
1: S/4.90
5,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP1011UCB9-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1011UCB9-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

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S/4.90

S/3.07

S/2.03

S/1.58

S/1.43

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S/1.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss

DMP3015LSSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.62
2,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3015LSSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss

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S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.22

S/2.03

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S/1.87

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Low Side IntelliFET

BSP75GQTA
Diodes Incorporated
1: S/6.03
1,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP75GQTA

N.º de artículo de Mouser
621-BSP75GQTA

Diodes Incorporated

Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Low Side IntelliFET

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S/6.03

S/3.87

S/3.45

S/2.85

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S/1.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

DMN2040U-13
Diodes Incorporated
1: S/1.63
17,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2040U-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2040U-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

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S/1.63

S/1.01

S/0.638

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

DMN3730UFB4-7
Diodes Incorporated
1: S/2.88
3,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3730UFB4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3730UFB4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

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S/2.88

S/1.78

S/1.15

S/0.934

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S/0.934

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMP2043UCA3-7
Diodes Incorporated
1: S/2.72
8,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2043UCA3-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2043UCA3-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/2.72

S/1.69

S/1.09

S/0.829

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S/0.576

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMS3014SFGQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.16
3,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMS3014SFGQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMS3014SFGQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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S/4.16

S/2.62

S/1.71

S/1.32

S/1.20

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S/0.989

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/3.50
3,631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFDF-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/3.50

S/2.19

S/1.48

S/1.14

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S/0.887

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche

ZVN4306GVTA
Diodes Incorporated
1: S/9.23
1,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZVN4306GVTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZVN4306GVTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche

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S/9.23

S/5.92

S/4.05

S/3.23

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S/2.94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 310mW

BS870-7-F
Diodes Incorporated
1: S/1.09
24,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BS870-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-BS870-F

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 310mW

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S/1.09

S/0.654

S/0.409

S/0.304

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S/0.183

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W

DMC4029SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/5.22
3,647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC4029SSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC4029SSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W

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S/5.22

S/3.29

S/2.18

S/1.70

S/1.55

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S/1.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated
1: S/4.09
5,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H120SFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H120SFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

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S/4.09

S/2.54

S/1.66

S/1.28

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMP4013LFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.52
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4013LFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4013LFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/4.52

S/2.83

S/1.86

S/1.46

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.11

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMP4013SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.36
2,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4013SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4013SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.50

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS

ZXMN2A01E6TA
Diodes Incorporated
1: S/3.74
4,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN2A01E6TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN2A01E6TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS

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S/3.74

S/2.33

S/1.52

S/0.989

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.849

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS

ZXMN3A04DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/9.93
1,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN3A04DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN3A04DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS

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1,030En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.42

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM

ZXMN6A08KTC
Diodes Incorporated
1: S/4.28
4,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A08KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A08KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM

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S/4.28

S/2.57

S/1.68

S/1.30

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.965

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V

DMN21D1UDA-7B
Diodes Incorporated
1: S/2.14
11,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN21D1UDA-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN21D1UDA-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V

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11,000En existencias

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S/2.14

S/1.32

S/0.849

S/0.638

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Envase tipo carrete

S/0.393

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW 60Vdss

DMN66D0LDW-7
Diodes Incorporated
1: S/3.58
5,669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN66D0LDW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN66D0LDW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW 60Vdss

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5,669En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.22

S/1.44

S/1.11

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.46
2,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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2,410En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.73

S/2.15

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT36M1LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.15
4,868En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT36M1LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT36M1LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

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4,868En existencias

Cinta cortada

S/3.15

S/1.97

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.736

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMT67M8LPSW-13
Diodes Incorporated
1: S/5.49
2,206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT67M8LPSW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT67M8LPSW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

2,206En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.47

S/2.30

S/1.80

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm

ZXMN6A08E6QTA
Diodes Incorporated
1: S/5.22
3,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A08E6QTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMN6A08E6QTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm

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3,050En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/3.29

S/2.18

S/1.70

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

DMN1250UFEL-7
Diodes Incorporated
1: S/5.37
2,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN1250UFEL-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN1250UFEL-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

Hoja de datos

2,700En existencias

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S/5.37

S/3.37

S/2.23

S/1.76

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

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