Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH41M8SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/9.34
2,290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH41M8SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH41M8SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Hoja de datos

2,290En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/6.50

S/4.55

S/3.64

S/3.49

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/10.24
2,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8003SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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2,024En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.55

S/3.66

S/3.38

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A

DMG4800LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/2.96
61En existencias
57,000Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMG4800LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG4800LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A

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61En existencias

57,000Se espera el 18/05/2026

Cinta cortada

S/2.96

S/1.82

S/1.15

S/0.876

Envase tipo carrete

S/0.642

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC

DMP2006UFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.28
3,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2006UFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2006UFG7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC

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3,315En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.66

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMN3025LFV-13
Diodes Incorporated
1: S/2.34
7,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3025LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3025LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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7,198En existencias

Cinta cortada

S/2.34

S/1.43

S/0.915

S/0.693

Envase tipo carrete

S/0.455

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMN6069SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.40
3,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN6069SFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6069SFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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3,422En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.76

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/0.961

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/7.20
2,405En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A

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2,405En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

DMN2005UFG-7
Diodes Incorporated
1: S/1.75
3,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2005UFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2005UFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

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3,534En existencias

Cinta cortada

S/1.75

S/1.27

S/0.989

S/0.767

Envase tipo carrete

S/0.763

S/0.736

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A

DMN6040SVTQ-7
Diodes Incorporated
1: S/3.62
4,057En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN6040SVTQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6040SVTQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A

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4,057En existencias

Cinta cortada

S/3.62

S/2.25

S/1.46

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.759

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMP3007SCGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.05
2,351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3007SCGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3007SCGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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2,351En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.90

S/3.33

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.08

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V

ZVN2110ASTZ
Diodes Incorporated
1: S/4.36
4,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZVN2110ASTZ

N.º de artículo de Mouser
522-ZVN2110ASTZ

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V

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4,437En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.74

S/1.80

S/1.39

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S/0.961

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V

ZVN3310ASTZ
Diodes Incorporated
1: S/3.11
3,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZVN3310ASTZ

N.º de artículo de Mouser
522-ZVN3310ASTZ

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V

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3,823En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/2.50

S/1.73

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.05

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

ZXMHC10A07T8TA
Diodes Incorporated
1: S/10.47
1,085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC10A07T8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC10A07T8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

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1,085En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.77

S/4.67

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.17

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W

DMNH10H028SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.70
2,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH10H028SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH10H028SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W

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2,465En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/5.02

S/3.47

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.13

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMG7430LFGQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.05
3,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG7430LFGQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG7430LFGQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Hoja de datos

3,967En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.52

S/1.64

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.829

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.28
2,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6110SVTQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6110SVTQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

2,975En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.69

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.981

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMT8012LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.68
1,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

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1,946En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.60

S/2.39

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.48

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

DMN2016LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/3.70
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2016LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2016LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

Hoja de datos

6,000En existencias

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S/3.70

S/2.30

S/0.852

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.751

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN

DMP2035UTS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.46
4,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2035UTS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2035UTS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN

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4,546En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.07

S/1.10

S/0.814

Envase tipo carrete

S/0.697

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V

BS107PSTZ
Diodes Incorporated
1: S/5.18
2,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BS107PSTZ

N.º de artículo de Mouser
522-BS107PSTZ

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V

Hoja de datos

2,540En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.28

S/2.17

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.22

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.65
5,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC25D0UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

Hoja de datos

5,821En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.65

S/1.06

S/0.806

Envase tipo carrete

S/0.549

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

DMN2005UFG-13
Diodes Incorporated
1: S/1.91
3,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2005UFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2005UFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

Hoja de datos

3,683En existencias

Cinta cortada

S/1.91

S/1.58

S/1.15

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.782

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche

ZVN4206AVSTZ
Diodes Incorporated
1: S/4.09
2,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZVN4206AVSTZ

N.º de artículo de Mouser
522-ZVN4206AVSTZ

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche

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2,822En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.74

S/1.84

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.01

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMN2029UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.14
2,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2029UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2029UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos

2,923En existencias

Cinta cortada

S/2.14

S/1.31

S/0.86

S/0.631

Envase tipo carrete

S/0.428

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMP3007SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.28
2,271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3007SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3007SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Hoja de datos

2,271En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.08

S/2.53

S/2.21

Envase tipo carrete

S/2.01

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

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