Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs

DMP6250SE-13
Diodes Incorporated
1: S/4.36
6,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6250SE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6250SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs

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S/4.36

S/2.72

S/1.79

S/1.39

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S/1.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K

DMP6350SQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.72
38,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6350SQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6350SQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K

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S/2.72

S/1.76

S/1.15

S/0.876

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S/0.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

ZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
1: S/6.97
23,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC10A07N8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

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S/6.97

S/4.52

S/3.02

S/2.39

S/1.99

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S/1.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

ZXMHC3A01N8TC
Diodes Incorporated
1: S/4.44
29,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC3A01N8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC3A01N8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

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S/4.44

S/3.07

S/2.05

S/1.85

S/1.79

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S/1.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.62
16,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMHC4035LSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMHC4035LSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.22

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S/1.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A

DMN2050LFDB-13
Diodes Incorporated
1: S/2.57
43,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2050LFDB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2050LFDB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A

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S/2.57

S/1.62

S/1.04

S/0.786

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S/0.463

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K

DMN3110S-7
Diodes Incorporated
1: S/2.14
8,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3110S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3110S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K

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S/2.14

S/1.56

S/1.13

S/0.996

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S/0.693

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMN63D1LT-13
Diodes Incorporated
1: S/2.57
14,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN63D1LT-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN63D1LT-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

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S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.771

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S/0.448

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW -20Vdss

DMP2004WK-7
Diodes Incorporated
1: S/2.14
21,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2004WK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2004WK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW -20Vdss

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S/2.14

S/1.48

S/1.01

S/0.79

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S/0.529

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMP2075UFDB-7
Diodes Incorporated
1: S/2.72
66,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2075UFDB-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2075UFDB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/2.72

S/1.70

S/1.12

S/0.852

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S/0.514

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS

DMP2160UFDBQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.45
13,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2160UFDBQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2160UFDBQ-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS

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S/2.45

S/1.77

S/1.28

S/1.01

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S/0.634

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A

DMP3028LFDE-13
Diodes Incorporated
1: S/2.41
33,468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3028LFDE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3028LFDE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A

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S/2.41

S/1.70

S/1.12

S/0.849

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S/0.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A

DMP3056LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.27
63,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3056LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3056LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A

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S/3.27

S/1.94

S/1.32

S/1.01

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S/0.666

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K

DMP31D7L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.13
39,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP31D7L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP31D7L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K

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S/1.13

S/0.693

S/0.432

S/0.319

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S/0.187

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT8008LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/7.71
5,339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8008LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8008LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/7.71

S/4.94

S/3.33

S/2.64

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S/2.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.90
7,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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S/4.90

S/3.93

S/2.74

S/2.32

S/2.28

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S/1.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

DMTH6009LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/4.87
10,914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6009LK3Q-13

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621-DMTH6009LK3Q-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

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S/4.87

S/3.89

S/2.73

S/2.31

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S/1.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh

ZXMS6005SGTA
Diodes Incorporated
1: S/6.03
6,115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6005SGTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005SGTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh

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S/6.03

S/3.84

S/2.56

S/2.02

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S/1.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V

ZVN4424GTA
Diodes Incorporated
1: S/4.71
9,845En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZVN4424GTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZVN4424GTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V

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S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.67

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S/1.67

S/1.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl

ZXMC4559DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/7.08
3,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMC4559DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMC4559DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl

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S/7.08

S/4.52

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.65

S/2.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 3K

BSS138K-7
Diodes Incorporated
1: S/0.934
343,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS138K-7

N.º de artículo de Mouser
621-BSS138K-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT23 T&R 3K

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343,280En existencias

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S/0.934

S/0.561

S/0.35

S/0.257

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S/0.105

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

DMG3406L-13
Diodes Incorporated
1: S/1.40
119,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG3406L-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMG3406L-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A

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119,073En existencias

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S/1.40

S/0.868

S/0.545

S/0.405

Envase tipo carrete

S/0.218

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Carrete: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
1: S/5.49
3,111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN15H310SE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN15H310SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

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Cinta cortada

S/5.49

S/3.83

S/2.88

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.75

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350mW 30Vdss

DMN32D2LFB4-7
Diodes Incorporated
1: S/2.65
38,044En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN32D2LFB4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN32D2LFB4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350mW 30Vdss

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38,044En existencias

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S/2.65

S/1.65

S/1.06

S/0.806

Envase tipo carrete

S/0.498

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A

DMP10H400SEQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.28
22,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP10H400SEQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP10H400SEQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A

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S/4.28

S/2.69

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.926

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