Semiconductores discretos

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores discretos

Lista Imágenes

Resultados: 198

Filtros aplicados:

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

IXFP7N80P
IXYS
1: S/22.15
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP7N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP7N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

89En existencias

S/22.15

S/11.87

S/10.94

S/9.54

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

IXFR140N20P
IXYS
1: S/63.72
30En existencias
300Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

30En existencias

300Se espera el 25/02/2026

S/63.72

S/43.52

S/43.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

IXFT96N20P
IXYS
1: S/52.51
168En existencias
510Se espera el 25/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFT96N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT96N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

168En existencias

510Se espera el 25/02/2026

S/52.51

S/31.88

S/27.36

S/26.47

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

Módulos MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds

IXFN180N15P
IXYS
1: S/114.71
1,261En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFN180N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN180N15P

IXYS

Módulos MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

1,261En pedido

S/114.71

S/90.62

S/75.67

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Módulos MOSFET 32 Amps 1200V

IXFN32N120P
IXYS
1: S/280.30
589Se espera el 8/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFN32N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN32N120P

IXYS

Módulos MOSFET 32 Amps 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

589Se espera el 8/05/2026

S/280.30

S/216.73

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

IXFB100N50P
IXYS
1: S/121.06
617Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFB100N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB100N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

617Se espera el 24/04/2026

S/121.06

S/92.84

S/80.73

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

IXFH110N10P
IXYS
1: S/34.53
2,948Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH110N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH110N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

2,948Se espera el 10/04/2026

S/34.53

S/20.86

S/17.40

S/15.80

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A

IXFH26N60P
IXYS
1: S/39.31
600Se espera el 30/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A

Obtenga más información

Hoja de datos

600Se espera el 30/06/2026

S/39.31

S/22.69

S/19.85

S/18.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

IXFH74N20P
IXYS
1: S/32.15
600Se espera el 29/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH74N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH74N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

600Se espera el 29/06/2026

S/32.15

S/20.16

S/16.97

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

IXFH96N20P
IXYS
1: S/38.46
300Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH96N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH96N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

300Se espera el 24/08/2026

S/38.46

S/23.74

S/20.98

S/19.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFP6N120P
IXYS
1: S/42.12
650Se espera el 22/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFP6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

650Se espera el 22/06/2026

S/42.12

S/23.63

S/23.59

S/21.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id14 BVdass800

IXFH14N80P
IXYS
1: S/34.99
240Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id14 BVdass800

Obtenga más información

Hoja de datos

240Se espera el 10/04/2026

S/34.99

S/20.55

S/17.32

S/15.61

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A

IXFH22N50P
IXYS
1: S/28.92
300Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH22N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A

Obtenga más información

Hoja de datos

300Se espera el 10/04/2026

S/28.92

S/17.32

S/16.66

S/13.90

S/13.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFR36N50P
IXYS
300: S/34.22
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFR36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/34.22

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

IXFA16N50P
IXYS
300: S/10.39
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA16N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA16N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/10.39

S/10.04

Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

IXFA7N80P
IXYS
1: S/19.07
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA7N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA7N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/19.07

S/9.93

S/8.99

S/7.47

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFB170N30P
IXYS
300: S/91.12
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB170N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB170N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/91.12

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 210 Amps 200V 0.0105 Rds

IXFB210N20P
IXYS
300: S/88.40
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB210N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB210N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 210 Amps 200V 0.0105 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

S/88.40

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR PWR MOSFET 100V, 300A

IXFB300N10P
IXYS
300: S/85.71
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB300N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB300N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR PWR MOSFET 100V, 300A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

S/85.71

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 1100V 0.2600 Rds

IXFB40N110P
IXYS
300: S/134.76
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB40N110P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB40N110P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 1100V 0.2600 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas

S/134.76

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFB52N90P
IXYS
300: S/94.55
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB52N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB52N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas

S/94.55

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds

IXFB82N60P
IXYS
300: S/75.63
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB82N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB82N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/75.63

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds

IXFH100N25P
IXYS
1: S/54.46
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH100N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH100N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/54.46

S/33.16

S/28.45

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id12 BVdass800

IXFH12N80P
IXYS
300: S/16.82
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id12 BVdass800

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/16.82

S/14.32

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 1000V 0.76 Rds

IXFH15N100P
IXYS
1: S/48.89
Plazo de entrega 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 1000V 0.76 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 27 Semanas

S/48.89

S/29.51

S/25.22

S/24.13

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Polar HiPerFET Power MOSFETs

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte