Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
72En existencias
6,000Se espera el 31/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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72En existencias

6,000Se espera el 31/12/2026

Cinta cortada

S/15.30

S/10.00

S/7.05

S/5.84

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.05
898En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

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898En existencias

Cinta cortada

S/27.05

S/17.75

S/13.23

Envase tipo carrete

S/10.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF011N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

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900En existencias

Cinta cortada

S/28.22

S/19.03

S/13.82

S/13.12

Envase tipo carrete

S/12.42

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

IPT009N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.63
882En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

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882En existencias

Cinta cortada

S/39.63

S/27.21

S/20.55

S/19.19

Envase tipo carrete

S/19.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.49
6,352En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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6,352En existencias

Cinta cortada

S/15.49

S/10.16

S/7.12

S/5.88

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

IPP014N08NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.85
500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N08NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP014N08NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

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500En existencias

S/25.85

S/17.36

S/12.53

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.01
783En existencias
Nuevo producto

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IQE036N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Cinta cortada

S/14.01

S/9.15

S/6.38

S/5.18

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Envase tipo carrete

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
216En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Cinta cortada

S/14.40

S/9.38

S/6.58

S/5.45

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Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC018N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
5,107En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC018N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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5,107En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.37

S/8.02

Envase tipo carrete

S/8.02

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC056N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
5,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC056N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC056N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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5,705En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.49

S/3.70

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.51
4,740Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC014N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

4,740Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/26.51

S/17.79

S/13.66

S/12.42

S/12.03

Envase tipo carrete

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.15
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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1,000En pedido

Cinta cortada

S/22.15

S/14.52

S/10.70

S/9.50

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Envase tipo carrete

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

170 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC031N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
4,997Se espera el 22/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC031N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC031N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

4,997Se espera el 22/04/2027

Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.59

S/3.80

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Envase tipo carrete

S/3.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.74
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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1,000En pedido

Cinta cortada

S/13.74

S/8.95

S/6.27

S/5.25

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Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

171 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

80 V

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

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