Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

NTTFS5C673NLTAG
onsemi
1: S/1.71
51,697En existencias
76,500Se espera el 10/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C673NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C673NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

51,697En existencias

76,500Se espera el 10/03/2026

Cinta cortada

S/1.71

S/1.08

S/0.868

S/0.825

Envase tipo carrete

S/0.771

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NLT4G
onsemi
1: S/10.47
2,711En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C454NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C454NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Hoja de datos

2,711En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.73

S/4.63

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

88 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C460NLT4G
onsemi
1: S/9.77
1,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C460NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C460NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Hoja de datos

1,895En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.46

S/3.42

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

73 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

47 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C460NT4G
onsemi
1: S/9.77
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C460NT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C460NT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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2,500En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.46

S/3.42

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

47 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C464NLT4G
onsemi
1: S/9.23
2,489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C464NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C464NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Hoja de datos

2,489En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C486NLT4G
onsemi
1: S/8.49
4,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C486NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C486NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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4,584En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.45

S/3.69

S/2.95

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

24 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.8 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C648NLT4G
onsemi
1: S/14.36
2,388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C648NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C648NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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2,388En existencias

Cinta cortada

S/14.36

S/9.42

S/6.62

S/5.80

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

89 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

72 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C684NLT4G
onsemi
1: S/9.50
3,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C684NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C684NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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3,643En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.20

S/3.35

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

38 A

13.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.6 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C688NLT4G
onsemi
1: S/8.91
2,359En existencias
2,500Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C688NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C688NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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Hoja de datos

2,359En existencias

2,500Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/8.91

S/5.72

S/3.89

S/3.11

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

17 A

22.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLT1G
onsemi
1: S/17.67
2,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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2,083En existencias

Cinta cortada

S/17.67

S/12.49

S/9.65

S/9.46

Envase tipo carrete

S/8.56

S/7.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

145 A

2.2 mOhms, 2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C446NWFT1G
onsemi
1: S/17.63
2,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

2,784En existencias

Cinta cortada

S/17.63

S/11.87

S/8.52

S/8.14

Envase tipo carrete

S/6.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

127 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLT1G
onsemi
1: S/13.12
5,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Hoja de datos

5,233En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.56

S/5.96

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.9 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
1: S/11.95
3,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C672NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

3,136En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.79

S/5.41

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

49 A

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

NVMFS4C302NT1G
onsemi
1: S/11.87
2,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C302NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C302NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

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Hoja de datos

2,648En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/8.17

S/5.84

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

241 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NWFAFT1G
onsemi
1: S/24.13
3,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

3,038En existencias

Cinta cortada

S/24.13

S/16.66

S/12.07

S/11.41

Envase tipo carrete

S/9.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

378 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLAFT1G
onsemi
1: S/19.54
1,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,247En existencias

Cinta cortada

S/19.54

S/12.96

S/9.26

S/8.80

S/7.16

Envase tipo carrete

S/7.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVMFS5C406NLT1G
onsemi
1: S/18.88
3,061En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C406NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

3,061En existencias

Cinta cortada

S/18.88

S/15.10

S/12.22

S/10.86

S/9.30

Envase tipo carrete

S/9.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

362 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

149 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C410NLAFT1G
onsemi
1: S/18.92
1,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C410NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

1,278En existencias

Cinta cortada

S/18.92

S/12.88

S/9.19

S/8.72

Ver

Envase tipo carrete

S/7.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

650 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

143 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLWFAFT1G
onsemi
1: S/10.28
3,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

3,505En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.89

S/4.79

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NAFT1G
onsemi
1: S/17.05
1,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,455En existencias

Cinta cortada

S/17.05

S/11.25

S/7.98

S/7.32

S/7.28

Envase tipo carrete

S/5.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C426NLT1G
onsemi
1: S/18.10
1,661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

237 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NWFAFT1G
onsemi
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NVMFS5C430NWFAFT1G

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863-NVMFS5C430AWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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S/13.43

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S/6.19

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S/4.55

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Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 106 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLAFT1G
onsemi
1: S/9.42
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NVMFS5C442NLAFT1G

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863-NVMFS5C442NLFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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S/9.42

S/6.19

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SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NAFT1G
onsemi
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NVMFS5C450NAFT1G

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863-NVMFS5C450NAFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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S/7.01

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S/2.99

S/2.36

S/2.16

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S/1.95

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

102 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C450NLAFT1G
onsemi
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NVMFS5C450NLAFT1G

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863-NVMFS5C450NLAF1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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S/6.77

S/5.49

S/4.24

S/3.39

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S/3.04

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W