Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFWS003N04CTAG
onsemi
1: S/9.85
1,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS003N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS003N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

1,159En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.34

S/4.36

S/3.48

S/3.22

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

103 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFWS024N06CTAG
onsemi
1: S/7.24
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS024N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS024N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.11

S/2.46

S/2.15

Envase tipo carrete

S/2.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C470NLT1G
onsemi
1: S/9.46
48En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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48En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.16

S/3.32

S/3.05

Envase tipo carrete

S/3.05

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLT1G
onsemi
1: S/9.89
179En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C680NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C680NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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179En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.34

S/4.32

S/4.16

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C05NT1G
onsemi
1: S/10.08
1,416En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C05NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C05NT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

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Hoja de datos

1,416En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.50

S/4.48

S/3.60

S/3.36

Envase tipo carrete

S/3.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

116 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.61 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C468NLWFAFT1G
onsemi
1: S/8.21
1,735En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NLWFA1

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Hoja de datos

1,735En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.56

S/2.83

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

37 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

NVMFS5C646NLWFAFT1G
onsemi
1: S/12.65
447En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C646NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C646NWFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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Hoja de datos

447En existencias

Cinta cortada

S/12.65

S/8.25

S/5.76

S/4.90

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

93 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33.7 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

NVMJS2D5N06CLTWG
onsemi
1: S/9.96
40En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS2D5N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS2D5N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

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Hoja de datos

40En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/6.42

S/4.40

S/3.53

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

31 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

NVTFS4C05NTAG
onsemi
1: S/5.61
50En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C05NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C05NTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

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Hoja de datos

50En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.71

S/3.09

S/2.97

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

102 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NWFTAG
onsemi
1: S/7.20
794En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C13NWFTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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Hoja de datos

794En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.45

S/2.13

Envase tipo carrete

S/2.11

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

15.2 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

NVTFS4C25NTAG
onsemi
1: S/5.14
967En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C25NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C25NTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

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Hoja de datos

967En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/3.20

S/2.12

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

22.1 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

10.3 nC

- 55 C

+ 175 C

14.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C680NLWFTAG
onsemi
1: S/6.46
968En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C680NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C680NWFTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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Hoja de datos

968En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.13

S/2.74

S/2.16

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 175 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NTMFD020N06CT1G
onsemi
1: S/7.75
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

748En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.98

S/3.34

S/2.65

S/2.33

Envase tipo carrete

S/2.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8

NTMFS5C460NLT3G
onsemi
1: S/3.46
4,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C460NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C460NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8

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Hoja de datos

4,500En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.16

S/1.40

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.771

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

NTMYS011N04CTWG
onsemi
1: S/7.98
1,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

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Hoja de datos

1,109En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.84

S/3.88

S/3.18

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFS016N06CT1G
onsemi
1: S/7.67
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS016N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS016N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/7.67

S/4.90

S/3.30

S/2.62

S/2.29

Envase tipo carrete

S/2.29

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/20.28
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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Hoja de datos

640En existencias

Cinta cortada

S/20.28

S/13.51

S/9.65

S/9.26

S/8.64

Envase tipo carrete

S/8.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C677NLWFT1G
onsemi
1: S/8.37
1,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C677NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C677NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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Hoja de datos

1,340En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.63

S/2.89

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NVMYS4D6N04CLTWG
onsemi
1: S/6.34
2,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS4D6N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS4D6N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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Hoja de datos

2,759En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.69

S/2.12

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

LFPAK-4

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

NTTFS4C13NTAG
onsemi
1: S/3.27
8En existencias
10,500Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C13NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C13NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

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Hoja de datos

8En existencias

10,500Se espera el 13/04/2026

Cinta cortada

S/3.27

S/2.00

S/1.33

S/1.05

S/0.829

Envase tipo carrete

S/0.829

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

21.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLWFT1G
onsemi
1: S/20.94
7,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C650NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C650NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

7,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/20.94

S/15.14

S/10.90

S/10.67

S/9.96

Envase tipo carrete

S/9.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

111 A

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET

NTMFS5C670NLT3G
onsemi
1: S/3.89
8,353En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C670NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C670NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET

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Cinta cortada

S/3.89

S/2.43

S/1.58

S/1.22

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.891

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS001N06CLTXG
onsemi
1: S/15.96
5,998Se espera el 9/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS001N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS001N06CLTXG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

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Cinta cortada

S/15.96

S/10.51

S/7.40

S/6.70

S/6.34

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

Power-88-8

N-Channel

1 Channel

60 V

398.2 A

810 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS1D2N04CLTWG
onsemi
1: S/10.86
3,000Se espera el 27/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS1D2N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS1D2N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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3,000Se espera el 27/03/2026

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S/10.86

S/7.01

S/5.18

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

258 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NTMYS2D9N04CLTWG
onsemi
1: S/11.44
3,000Se espera el 11/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D9N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS2D9N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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3,000Se espera el 11/05/2026

Cinta cortada

S/11.44

S/7.43

S/5.14

S/4.28

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W