Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C468NLAFT1G
onsemi
1: S/6.54
2,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

2,404En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.13

S/2.79

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

37 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/19.89
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

640En existencias

Cinta cortada

S/19.89

S/13.35

S/9.65

S/9.26

S/8.99

Envase tipo carrete

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

NVMFS5C645NLAFT1G
onsemi
1: S/6.85
2,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C645NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C645NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

2,701En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.32

S/2.92

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C677NLT1G
onsemi
1: S/7.59
1,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C677NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C677NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

Obtenga más información

Hoja de datos

1,381En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.26

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C677NLWFT1G
onsemi
1: S/7.94
1,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C677NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C677NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

Obtenga más información

Hoja de datos

1,340En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.33

S/3.57

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C680NLT1G
onsemi
1: S/6.23
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C680NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C680NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

Obtenga más información

Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.97

S/2.71

S/2.14

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C680NLWFT1G
onsemi
1: S/6.62
930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C680NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C680NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

Obtenga más información

Hoja de datos

930En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.40

S/3.03

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS020N06CT1G
onsemi
1: S/8.10
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.22

S/3.51

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: S/5.37
1,501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

1,501En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.38

S/2.29

S/1.94

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/5.76
41En existencias
3,000Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

41En existencias

3,000Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/5.76

S/3.65

S/2.42

S/1.90

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: S/4.20
2,938En existencias
3,000Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

2,938En existencias

3,000Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/4.20

S/2.36

S/1.96

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
1: S/5.18
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

862En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.15

S/1.68

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS4D1N06CLTWG
onsemi
1: S/8.25
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS4D1N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS4D1N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

280En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.65

S/3.09

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

LFPAK-4

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NVMYS4D6N04CLTWG
onsemi
1: S/5.88
2,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS4D6N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS4D6N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

2,759En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.76

S/2.58

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

LFPAK-4

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: S/6.93
8En existencias
3,000Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS6D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

3,000Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

S/6.93

S/4.40

S/2.96

S/2.34

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.88

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel

NVTFS002N04CLTAG
onsemi
1: S/12.34
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS002N04CLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS002N04CLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

1,048En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.57

S/4.71

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

142 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFS005N04CTAG
onsemi
1: S/8.02
655En existencias
1,500Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS005N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS005N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

655En existencias

1,500Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/8.02

S/5.18

S/3.50

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

69 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NVTFS008N04CTAG
onsemi
1: S/6.81
1,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS008N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS008N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,291En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.36

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

WDFN-8

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS020N06CTAG
onsemi
1: S/6.62
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS020N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS020N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Obtenga más información

Hoja de datos

1,485En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.16

S/2.80

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.92

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS024N06CTAG
onsemi
1: S/6.38
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS024N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS024N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Obtenga más información

Hoja de datos

1,497En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.09

S/2.70

S/2.16

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM

NVTFS4C10NWFTAG
onsemi
1: S/7.55
1,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C10NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C10NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM

Obtenga más información

Hoja de datos

1,012En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.98

S/3.41

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

47 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

19.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 22A 17MOHM

NVTFS4C25NWFTAG
onsemi
1: S/3.39
1,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C25NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C25NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 22A 17MOHM

Obtenga más información

Hoja de datos

1,450En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/3.35

S/2.75

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

22.1 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

10.3 nC

- 55 C

+ 175 C

14.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C453NLWFTAG
onsemi
1: S/8.76
1,182En existencias
4,500Se espera el 9/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

Obtenga más información

Hoja de datos

1,182En existencias

4,500Se espera el 9/10/2026

Cinta cortada

S/8.76

S/5.92

S/4.09

S/3.38

Envase tipo carrete

S/3.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS5C460NLWFTAG
onsemi
1: S/9.73
468En existencias
1,500Se espera el 14/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C460NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C460NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

468En existencias

1,500Se espera el 14/04/2026

Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.50

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

NVTFS5C466NLWFTAG
onsemi
1: S/7.16
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.83

S/3.31

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

51 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W