Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

NVD5C464NT4G
onsemi
1: S/9.69
549En existencias
2,500Se espera el 14/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C464NT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C464NT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

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Hoja de datos

549En existencias

2,500Se espera el 14/04/2026

Cinta cortada

S/9.69

S/6.38

S/4.48

S/3.57

Envase tipo carrete

S/2.98

Ver

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C478NLT4G
onsemi
1: S/9.50
1,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C478NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C478NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Hoja de datos

1,674En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.15

S/4.20

S/3.35

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

45 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C668NLT4G
onsemi
1: S/10.59
104En existencias
2,500Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C668NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C668NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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Hoja de datos

104En existencias

2,500Se espera el 28/08/2026

Cinta cortada

S/10.59

S/6.85

S/4.71

S/3.81

Envase tipo carrete

S/3.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

49 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18.7 nC

- 55 C

+ 175 C

44 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD016N06CT1G
onsemi
1: S/11.64
962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD016N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD016N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

962En existencias

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.22

S/4.36

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.73

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD030N06CT1G
onsemi
1: S/10.28
1,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD030N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD030N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

1,490En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.55

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.22

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLWFT1G
onsemi
1: S/14.17
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Hoja de datos

190En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/9.30

S/6.58

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.9 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C466NT1G
onsemi
1: S/10.12
1,287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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1,287En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.48

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.17

MouseReel Disponible

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C470NWFT1G
onsemi
1: S/9.46
1,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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1,200En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.23

S/4.28

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLT1G
onsemi
1: S/9.54
859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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859En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/6.15

S/4.20

S/3.35

Envase tipo carrete

S/2.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

29 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NT1G
onsemi
1: S/9.61
99En existencias
1,500Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

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99En existencias

1,500Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/9.61

S/6.23

S/4.24

S/3.39

Envase tipo carrete

S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

27 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NWFT1G
onsemi
1: S/8.80
820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

820En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.80

S/4.05

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

27 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

NVMFD5C668NLT1G
onsemi
1: S/13.08
535En existencias
1,500Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C668NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C668NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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535En existencias

1,500Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/13.08

S/9.77

S/7.51

S/7.01

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

68 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.3 nC

- 55 C

+ 175 C

57.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLT1G
onsemi
1: S/11.99
1,242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C672NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

1,242En existencias

Cinta cortada

S/11.99

S/7.79

S/5.41

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

49 A

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLT1G
onsemi
1: S/10.67
3En existencias
1,500Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C674NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C674NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

3En existencias

1,500Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/10.67

S/6.93

S/4.75

S/3.86

Envase tipo carrete

S/3.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

42 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLWFT1G
onsemi
1: S/9.34
962En existencias
6,000Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C680NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C680NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

962En existencias

6,000Se espera el 1/05/2026

Cinta cortada

S/9.34

S/6.03

S/4.13

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.88

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
onsemi
1: S/7.08
592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

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Hoja de datos

592En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.03

S/2.40

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT1G
onsemi
1: S/35.23
61En existencias
1,500Se espera el 29/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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Hoja de datos

61En existencias

1,500Se espera el 29/05/2026

Cinta cortada

S/35.23

S/24.29

S/19.54

S/18.80

S/17.48

Envase tipo carrete

S/15.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NAFT1G
onsemi
1: S/19.38
1,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C410NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

1,430En existencias

Cinta cortada

S/19.38

S/13.90

S/9.93

S/9.58

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

760 uOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

3.9 W, 166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: S/15.96
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

Obtenga más información

Hoja de datos

749En existencias

Cinta cortada

S/15.96

S/10.98

S/7.90

S/7.51

Ver

Envase tipo carrete

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NLWFAFT1G
onsemi
1: S/11.25
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C430LWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

739En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/6.70

S/5.29

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W, 110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NWFAFT1G
onsemi
1: S/11.41
240En existencias
1,500Se espera el 31/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NWFAFT1G

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863-NVMFS5C450NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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1,500Se espera el 31/07/2026

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S/11.41

S/7.71

S/5.37

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.81

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

102 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLWFAFT1G
onsemi
1: S/8.64
454En existencias
1,500Se espera el 5/06/2026

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NVMFS5C456NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C456NLWFA1

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Cinta cortada

S/8.64

S/5.96

S/4.09

S/3.35

Envase tipo carrete

S/2.95

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G
onsemi
1: S/6.07
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C460NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Cinta cortada

S/6.07

S/4.55

S/3.68

S/3.08

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S/2.74

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

21 A, 78 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

NVMFS5C466NLT1G
onsemi
1: S/7.79
1,715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C466NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C466NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

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Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.35

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

NVMFS5C466NLWFT1G
onsemi
1: S/8.10
1,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C466NLWFT1G

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863-NVMFS5C466NLWFT1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

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S/8.10

S/5.49

S/3.71

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.57

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W