Semiconductores – Mouser Perú

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NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT

CSD18536KTTT
Texas Instruments
1: S/26.70
421En existencias

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CSD18536KTTT

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595-CSD18536KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT

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S/14.36

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S/11.09

S/10.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

CSD18537NKCS
Texas Instruments
1: S/6.62
10En existencias
2,890Se espera el 26/02/2026

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CSD18537NKCS

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595-CSD18537NKCS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

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S/6.62

S/3.16

S/2.81

S/2.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT

CSD18537NQ5A
Texas Instruments
1: S/5.22
3,708En existencias
4,900Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18537NQ5A

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595-CSD18537NQ5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18537NQ5AT

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S/5.22

S/3.26

S/2.16

S/1.72

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S/1.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET

CSD18542KCS
Texas Instruments
1: S/11.29
592En existencias

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CSD18542KCS

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595-CSD18542KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET

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S/11.29

S/5.61

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S/4.05

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

CSD18542KTT
Texas Instruments
1: S/12.11
540En existencias

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CSD18542KTT

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595-CSD18542KTT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

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S/12.11

S/7.82

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S/3.80

S/3.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

CSD18542KTTT
Texas Instruments
1: S/13.62
152En existencias

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CSD18542KTTT

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595-CSD18542KTTT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

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S/5.57

S/4.71

S/4.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A

CSD18563Q5AT
Texas Instruments
1: S/6.07
1,837En existencias

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CSD18563Q5AT

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595-CSD18563Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A

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S/6.07

S/4.79

S/2.95

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S/2.95

S/2.56

S/2.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19501KCS
Texas Instruments
1: S/10.59
314En existencias

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CSD19501KCS

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595-CSD19501KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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S/10.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT

CSD19502Q5B
Texas Instruments
1: S/12.03
321En existencias
5,000Se espera el 2/07/2026

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CSD19502Q5B

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595-CSD19502Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT

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S/12.03

S/7.82

S/5.84

S/4.71

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S/4.05

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

CSD19503KCS
Texas Instruments
1: S/10.47
1,559En existencias

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CSD19503KCS

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595-CSD19503KCS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

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S/10.47

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S/4.75

S/3.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19505KCS
Texas Instruments
1: S/16.35
748En existencias

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CSD19505KCS

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595-CSD19505KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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S/16.35

S/9.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT

CSD19505KTT
Texas Instruments
1: S/15.92
692En existencias

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CSD19505KTT

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595-CSD19505KTT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT

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S/10.51

S/7.40

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S/6.03

S/5.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T

CSD19506KCS
Texas Instruments
1: S/20.67
348En existencias

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CSD19506KCS

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595-CSD19506KCS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T

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S/20.67

S/14.32

S/14.21

S/12.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

CSD19531KCS
Texas Instruments
1: S/10.59
1,043En existencias

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CSD19531KCS

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595-CSD19531KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

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S/10.59

S/5.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8mOhm N-CH Pw r MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD19533Q5AT

CSD19533Q5A
Texas Instruments
1: S/7.63
1,087En existencias
20,000Se espera el 6/05/2026

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CSD19533Q5A

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595-CSD19533Q5A

Texas Instruments

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S/7.63

S/4.87

S/3.38

S/2.87

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S/2.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

CSD19534KCS
Texas Instruments
1: S/7.86
135En existencias
1,000Se espera el 3/03/2026

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CSD19534KCS

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595-CSD19534KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

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1,000Se espera el 3/03/2026

S/7.86

S/3.82

S/3.42

S/2.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT

CSD19536KTTT
Texas Instruments
1: S/28.53
58En existencias
1,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19536KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19536KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT

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S/28.53

S/15.38

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S/15.38

S/11.87

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

CSD19538Q3A
Texas Instruments
1: S/3.85
745En existencias
12,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

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S/3.85

S/2.39

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.954

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

CSD22202W15
Texas Instruments
1: S/4.28
3,381En existencias

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CSD22202W15

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22202W15

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

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S/4.28

S/2.67

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/0.919

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

CSD22204W
Texas Instruments
1: S/3.46
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22204W

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22204W

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

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S/3.46

S/2.17

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.837

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

CSD22204WT
Texas Instruments
1: S/6.34
134En existencias
250Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD22204WT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22204WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

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134En existencias

250Se espera el 8/06/2026

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S/6.34

S/4.28

S/2.18

Envase tipo carrete

S/2.18

S/1.87

S/1.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

CSD22205L
Texas Instruments
1: S/3.23
1,068En existencias
3,000Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD22205L

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22205L

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

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S/3.23

S/2.01

S/1.31

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.775

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

CSD22206W
Texas Instruments
1: S/3.66
1,140En existencias
3,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD22206W

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22206W

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

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S/3.66

S/2.39

S/1.60

S/1.31

Envase tipo carrete

S/0.993

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

CSD22206WT
Texas Instruments
1: S/7.43
123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22206WT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22206WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

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S/7.43

S/4.83

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.41

S/2.07

S/1.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

CSD23202W10
Texas Instruments
1: S/2.41
3,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD23202W10

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595-CSD23202W10

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

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S/1.50

S/0.961

S/0.728

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S/0.553

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