Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)]. The 80V MOSFETs are available in dual-sided cooled packages (WSON-8) while the 100V MOSFET comes in a standard TDSON-8 package. Each package offers superior thermal resistance and is 100% avalanche tested. Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs feature a soft-recovery diode and are lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
3,199En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N08NM8SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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Hoja de datos

3,199En existencias

Cinta cortada

S/28.22

S/17.71

S/15.14

S/13.47

S/13.00

Envase tipo carrete

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

269 A

1.54 mOhms

20 V

3.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
2En existencias
5,000Se espera el 22/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC033N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC033N10NM8ATMA

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

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2En existencias

5,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/12.46

S/7.12

S/5.49

S/4.44

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.33 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

IPF009N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.57
693En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF009N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF009N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

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693En existencias

Cinta cortada

S/28.57

S/18.72

S/13.78

S/12.26

Envase tipo carrete

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

408 A

0.94 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

255 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

IPF014N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.97
1,284En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF014N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N10NM8ATMA

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Cinta cortada

S/22.97

S/15.06

S/11.09

S/9.85

Envase tipo carrete

S/8.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

321 A

1.42 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK

IPB018N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.15
551En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB018N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK

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Cinta cortada

S/19.15

S/9.89

S/8.99

S/7.82

Envase tipo carrete

S/6.89

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

176 A

1.76 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS™ 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK-7

IPF019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.93
300En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF019N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PF019N10NM8ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS™ 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK-7

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Cinta cortada

S/16.93

S/10.16

S/8.29

S/6.42

Envase tipo carrete

S/5.80

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.84
15,364En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
ISC016N08NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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15,364En pedido

Cinta cortada

S/15.84

S/9.34

S/7.55

S/6.27

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

268 A

1.54 mOhms

20 V

3.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL

IPT009N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.12
3,876En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IPT009N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N10NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL

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Cinta cortada

S/29.12

S/19.07

S/14.05

S/12.49

S/11.05

Envase tipo carrete

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

484 A

0.93 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

255 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.46
4,983Se espera el 15/07/2027
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N.º de artículo del Fabricante
ISC019N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

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4,983Se espera el 15/07/2027

Cinta cortada

S/19.46

S/11.60

S/9.34

S/7.94

S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

245 A

1.93 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V

ISC019N10NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.83
3,980Se espera el 12/11/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC019N10NM8SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N10NM8SCAT

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3,980Se espera el 12/11/2026

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S/24.83

S/15.92

S/11.60

S/10.39

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

245 A

1.93 mOhms

20 V

3.2 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

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