Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

STL8N80K5
STMicroelectronics
1: S/15.34
1,961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

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Cinta cortada

S/15.34

S/10.04

S/7.05

S/5.80

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4N90K5
STMicroelectronics
1: S/10.04
3,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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3,505En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.44

S/3.52

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

3 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

STF10N95K5
STMicroelectronics
1: S/15.41
1,041En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

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1,041En existencias

S/15.41

S/8.06

S/7.24

S/5.99

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/8.45
3,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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3,086En existencias

S/8.45

S/4.94

S/4.16

S/3.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

2.63 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL260N4F7
STMicroelectronics
1: S/15.30
5,018En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL260N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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5,018En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/7.75

S/7.01

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/11.21
2,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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2,652En existencias

Cinta cortada

S/11.21

S/5.53

S/4.83

S/4.01

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N120K5
STMicroelectronics
1: S/48.50
901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

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901En existencias

S/48.50

S/27.40

S/25.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STF20N95K5
STMicroelectronics
1: S/26.62
2,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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2,621En existencias

S/26.62

S/13.78

S/12.81

S/11.21

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STF21N90K5
STMicroelectronics
1: S/30.91
1,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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1,723En existencias

S/30.91

S/17.52

S/16.08

S/14.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STF25N80K5
STMicroelectronics
1: S/25.85
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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884En existencias

S/25.85

S/14.01

S/12.69

S/11.56

S/11.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

STL210N4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/12.26
3,312En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL210N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL210N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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3,312En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/6.11

S/5.53

S/4.44

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N90K5
STMicroelectronics
1: S/68.35
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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400En existencias

S/68.35

S/39.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

40 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW6N90K5
STMicroelectronics
1: S/14.25
1,587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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1,587En existencias

S/14.25

S/7.16

S/6.50

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

6 A

910 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW7N90K5
STMicroelectronics
1: S/15.34
1,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

1,335En existencias

S/15.34

S/7.55

S/6.85

S/5.88

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7 A

720 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.7 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N90K5
STMicroelectronics
1: S/18.26
1,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

1,800En existencias

S/18.26

S/9.15

S/8.33

S/7.01

S/6.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB16N90K5
STMicroelectronics
1: S/27.17
1,171En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB16N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB16N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

1,171En existencias

Cinta cortada

S/27.17

S/14.79

S/11.56

S/11.02

Envase tipo carrete

S/11.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

330 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

29.7 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.49
1,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Hoja de datos

1,439En existencias

S/15.49

S/7.51

S/6.81

S/5.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU13N80K5
STMicroelectronics
1: S/18.65
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

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Hoja de datos

1,691En existencias

S/18.65

S/9.89

S/8.99

S/7.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

370 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a

STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/19.46
1,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH10N80K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH10N80K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a

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Hoja de datos

1,244En existencias

Cinta cortada

S/19.46

S/10.12

S/9.23

S/8.06

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

121 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STD3N80K5
STMicroelectronics
1: S/7.75
5,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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Hoja de datos

5,125En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/3.71

S/3.32

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STD5N95K5
STMicroelectronics
1: S/10.04
3,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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Hoja de datos

3,878En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/4.94

S/4.44

S/3.53

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

3.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

STL2N80K5
STMicroelectronics
1: S/5.25
5,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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5,134En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.14

S/2.21

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.7 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

STP10N95K5
STMicroelectronics
1: S/16.82
1,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected

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1,570En existencias

S/16.82

S/8.10

S/7.63

S/6.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU2N105K5
STMicroelectronics
1: S/10.43
5,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU2N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU2N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

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5,461En existencias

S/10.43

S/4.83

S/4.36

S/3.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

1.5 A

8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

STWA20N95K5
STMicroelectronics
1: S/31.88
599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

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599En existencias

S/31.88

S/17.48

S/16.08

S/14.64

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W