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iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

iS20M028S1C-7SR
iDEAL Semiconductor
1: S/14.25
119En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
iS20M028S1C-7SR

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25-IS20M028S1C-7SR

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

S/14.25

S/9.30

Envase tipo carrete

S/7.24

S/6.07

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

200 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

SuperQ

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm

IS15M7R1S1C
iDEAL Semiconductor
1: S/19.27
4,632En existencias
Nuevo producto

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IS15M7R1S1C

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25-IS15M7R1S1C

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm

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4,632En existencias

Cinta cortada

S/19.27

S/14.32

S/11.13

Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

133 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

iDEAL Semiconductor

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

iS20M028S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/17.17
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS20M028S1P

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25-IS20M028S1P

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

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Hoja de datos

1,892En existencias

S/17.17

S/11.21

S/8.72

S/7.32

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

40 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

26.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SuperQ

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package

iS20M5R5S1T-13
iDEAL Semiconductor
1: S/34.22
1,375En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS20M5R5S1T-13

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25-IS20M5R5S1T-13

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package

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1,375En existencias

Cinta cortada

S/34.22

S/24.91

S/20.75

S/18.61

Envase tipo carrete

S/17.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

200 V

151 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220

iS20M6R3S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/28.69
1,000En existencias
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iS20M6R3S1P

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25-IS20M6R3S1P

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220

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1,000En existencias

S/28.69

S/15.45

S/14.17

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

172 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

428 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm

IS15M7R1S1C-7SR
iDEAL Semiconductor
1: S/19.62
341En existencias
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IS15M7R1S1C-7SR

N.º de artículo de Mouser
25-IS15M7R1S1C-7SR

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm

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Hoja de datos

341En existencias

S/19.62

S/15.73

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

133 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

iDEAL Semiconductor

Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package

iS20M5R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: S/37.06
200En existencias
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iS20M5R5S1T-100B

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25-IS20M5R5S1T-100B

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200En existencias

S/37.06

S/28.10

S/23.36

S/20.82

S/19.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

200 V

151 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220

IS20M8R0S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/22.97
1,000Se espera el 7/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IS20M8R0S1P

N.º de artículo de Mouser
25-IS20M8R0S1P

Nuevo producto

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1,000Se espera el 7/09/2026

S/22.97

S/15.03

S/11.05

S/9.85

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

128 A

8.3 mOhms

20 V

4.1 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: S/30.32
100Se espera el 5/08/2026
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iS15M2R5S1T-100B

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25-IS15M2R5S1T-100B

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S/30.32

S/24.29

S/19.62

S/17.44

S/15.41

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TOLL

N-Channel

1 Channel

150 V

233 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-13
iDEAL Semiconductor
5,000: S/15.18
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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iS15M2R5S1T-13

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25-IS15M2R5S1T-13

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S/15.18

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TOLL

N-Channel

1 Channel

150 V

233 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

iS20M028S1C
iDEAL Semiconductor
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iS20M028S1C

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S/6.23

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

200 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

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SuperQ

Reel, Cut Tape

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