.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

Filtros aplicados:

Fabricante = iDEAL Semiconductor

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L iS20M5R5S1H-13 iDEAL Semiconductor 1: S/32.19 140En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M5R5S1H-13 N.º de artículo de Mouser 25-IS20M5R5S1H-13 Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal is20m5r5s1h n channel mosfet	Hoja de datos	140En existencias	Cinta cortada S/32.19 S/22.65 S/18.33 S/16.31 Envase tipo carrete S/15.41 S/13.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-7L	N-Channel	1 Channel	200 V	148 A	5.5 mOhms	20 V	4.1 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	SuperQ	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL iS15M2R5S1T-100B iDEAL Semiconductor 1: S/29.62 11En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS15M2R5S1T-100B N.º de artículo de Mouser 25-IS15M2R5S1T-100B Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is15m2r5s1t superq n ch power mosfet	Hoja de datos	11En existencias	S/29.62 S/21.21 S/17.44 S/14.40 S/14.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TOLL	N-Channel	1 Channel	150 V	233 A	2.5 mOhms	20 V	3.3 V	123 nC	- 55 C	+ 175 C	314 W	Enhancement	SuperQ	Bulk
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) iS20M028S1C-7SR iDEAL Semiconductor 1: S/14.21 94En existencias 200En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M028S1C-7SR N.º de artículo de Mouser 25-IS20M028S1C-7SR Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m028s1c mosfets	Hoja de datos	94En existencias 200En pedido	Cinta cortada S/14.21 S/9.26 Envase tipo carrete S/6.46 S/5.41 S/5.02 S/4.71	Min.: 1 Mult.: 1 : 100	Si	SMD/SMT	PDFN-8	N-Channel	1 Channel	200 V	45 A	25 mOhms	20 V	3.6 V	27.5 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	SuperQ	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package iS20M5R5S1T-13 iDEAL Semiconductor 1: S/36.82 1,097En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M5R5S1T-13 N.º de artículo de Mouser 25-IS20M5R5S1T-13 Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m5r5s1t power mosfets	Hoja de datos	1,097En existencias	Cinta cortada S/36.82 S/25.15 S/20.75 S/18.49 Envase tipo carrete S/17.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	200 V	151 A	5.5 mOhms	20 V	3.5 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	314 W	Enhancement	SuperQ	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220 iS20M6R3S1P iDEAL Semiconductor 1: S/29.39 1,097En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M6R3S1P N.º de artículo de Mouser 25-IS20M6R3S1P Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220 Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m6r3s1p superq n ch power mosfet	Hoja de datos	1,097En existencias	S/29.39 S/16.54 S/15.14 S/12.77 Ver S/11.72 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	172 A	6.3 mOhms	20 V	3.5 V	105 nC	- 55 C	+ 175 C	428 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 AEC-Q101 IS20M028S1PQ iDEAL Semiconductor 1: S/19.50 200En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IS20M028S1PQ N.º de artículo de Mouser 25-IS20M028S1PQ Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 AEC-Q101 Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m028s1pq mosfet	Hoja de datos	200En existencias	S/19.50 S/10.08 S/9.15 S/8.84 Ver S/8.56 S/8.49	Min.: 1 Mult.: 1				N-Channel		200 V										SuperQ	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package iS20M5R5S1T-100B iDEAL Semiconductor 1: S/39.74 187En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M5R5S1T-100B N.º de artículo de Mouser 25-IS20M5R5S1T-100B Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m5r5s1t power mosfets	Hoja de datos	187En existencias	S/39.74 S/28.10 S/23.36 S/20.82 S/19.46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	200 V	151 A	5.5 mOhms	20 V	3.5 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	314 W	Enhancement	SuperQ	Bulk
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package iS20M028S1P iDEAL Semiconductor 1: S/17.32 1,829En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M028S1P N.º de artículo de Mouser 25-IS20M028S1P Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m028s1p mosfet	Hoja de datos	1,829En existencias	S/17.32 S/8.64 S/8.02 S/6.58 S/6.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	40 A	25 mOhms	20 V	3.6 V	26.5 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	SuperQ	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm IS15M7R1S1C iDEAL Semiconductor 1: S/24.76 4,170En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IS15M7R1S1C N.º de artículo de Mouser 25-IS15M7R1S1C Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is15m7r1s1c mosfets	Hoja de datos	4,170En existencias	Cinta cortada S/24.76 S/14.48 S/11.91 S/10.94 Envase tipo carrete S/8.45 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PDFN-8	N-Channel	1 Channel	150 V	133 A	6.4 mOhms	20 V	3.3 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	iDEAL Semiconductor	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm IS15M7R1S1C-7SR iDEAL Semiconductor 1: S/26.35 331En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IS15M7R1S1C-7SR N.º de artículo de Mouser 25-IS15M7R1S1C-7SR Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is15m7r1s1c mosfets	Hoja de datos	331En existencias	S/26.35 S/17.28 S/12.69 S/11.29 S/9.96	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	PDFN-8	N-Channel	1 Channel	150 V	133 A	6.4 mOhms	20 V	3.3 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	iDEAL Semiconductor	Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220 IS20M8R0S1P iDEAL Semiconductor 1: S/22.97 1,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IS20M8R0S1P N.º de artículo de Mouser 25-IS20M8R0S1P Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220	Hoja de datos	1,000En pedido	S/22.97 S/15.03 S/11.05 S/9.85	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	128 A	8.3 mOhms	20 V	4.1 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 175A TOLT iS20M5R5S1TC iDEAL Semiconductor 1,300: S/16.39 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M5R5S1TC N.º de artículo de Mouser 22-IS20M5R5S1TC Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 175A TOLT	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada S/16.39 S/15.96	Min.: 1,300 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	200 V	175 A	5.5 mOhms	20 V	4.1 V	108 nC	- 55 C	+175 C	423 W	Enhancement	SuperQ	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL iS15M2R5S1T-13 iDEAL Semiconductor 5,000: S/13.78 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS15M2R5S1T-13 N.º de artículo de Mouser 25-IS15M2R5S1T-13 Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Envase tipo carrete S/13.78	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TOLL	N-Channel	1 Channel	150 V	233 A	2.5 mOhms	20 V	3.3 V	123 nC	- 55 C	+ 175 C	314 W	Enhancement	SuperQ	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) iS20M028S1C iDEAL Semiconductor 5,000: S/4.44 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M028S1C N.º de artículo de Mouser 25-IS20M028S1C Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre iDEAL Semiconductor ideal semi is20m028s1c mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Envase tipo carrete S/4.44	Min.: 5,000 Mult.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	PDFN-8	N-Channel	1 Channel	200 V	45 A	25 mOhms	20 V	3.6 V	27.5 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	SuperQ	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L iS20M5R5S1H-100B iDEAL Semiconductor 1: S/38.89 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M5R5S1H-100B N.º de artículo de Mouser 25-IS20M5R5S1H-100B Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	S/38.89 S/26.55 S/21.88 S/19.50 Ver S/16.97 S/16.54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-7L	N-Channel	1 Channel	200 V	148 A	5.5 mOhms	20 V	4.1 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	SuperQ	Bulk
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 132A TOLT iS20M8R0S1TC iDEAL Semiconductor 1,300: S/11.09 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante iS20M8R0S1TC N.º de artículo de Mouser 25-IS20M8R0S1TC Nuevo producto	iDEAL Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 132A TOLT	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada S/11.09 S/10.78	Min.: 1,300 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	200 V	132 A	8 mOhms	20 V	4 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	SuperQ	Reel

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte