Memoria flash tipo NOR 256Mb 3V 100ns Parallel Memoria flash tipo NOR
S29GL256S10TFI020
Infineon Technologies
1:
S/20.20
691 En existencias
N.º de artículo de Mouser 797-29GL256S10TFI020
Infineon Technologies
Memoria flash tipo NOR 256Mb 3V 100ns Parallel Memoria flash tipo NOR
691 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Memoria flash tipo NOR 512Mb 3V 110ns Parallel Memoria flash tipo NOR
S29GL512S11TFI020
Infineon Technologies
1:
S/41.92
761 En existencias
N.º de artículo de Mouser 797-S29GL512S11TFI02
Infineon Technologies
Memoria flash tipo NOR 512Mb 3V 110ns Parallel Memoria flash tipo NOR
761 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/41.92
10
S/38.93
25
S/37.72
50
S/30.63
100
Ver
100
S/30.21
250
S/27.29
910
S/27.25
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
+2 imágenes
IRF7854TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/8.37
3,848 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRF7854TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg
3,848 En existencias
1
S/8.37
10
S/5.37
100
S/3.64
500
S/2.90
1,000
Ver
4,000
S/2.26
1,000
S/2.72
2,000
S/2.51
4,000
S/2.26
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Interfaz IC CAN TRANSCEIVER
TLE9250SJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.27
89,493 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-TLE9250SJXUMA1
NRND
Infineon Technologies
Interfaz IC CAN TRANSCEIVER
89,493 En existencias
1
S/6.27
10
S/4.59
25
S/4.16
100
S/3.70
2,500
S/2.79
7,500
Ver
250
S/3.48
500
S/3.34
1,000
S/3.23
7,500
S/2.69
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.83
53,900 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC054N04NSGATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
53,900 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.83
10
S/3.02
100
S/1.99
500
S/1.55
5,000
S/1.09
10,000
Ver
1,000
S/1.29
2,500
S/1.28
10,000
S/1.05
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
F-RAM FRAM
+1 imagen
CY15B104Q-SXI
Infineon Technologies
1:
S/115.65
3,582 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 727-CY15B104Q-SXI
NRND
Infineon Technologies
F-RAM FRAM
3,582 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/115.65
10
S/107.04
25
S/106.58
50
S/88.05
100
Ver
100
S/86.72
250
S/85.75
500
S/85.60
940
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBTs DISCRETE SWITCHES
AIKQ200N75CP2XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/51.93
1,377 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-AIKQ200N75CP2XKS
Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
1,377 En existencias
1
S/51.93
10
S/32.89
100
S/29.19
480
S/29.15
1,200
Ver
1,200
S/28.61
2,640
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR
BFR380L3E6327XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/1.21
38,495 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BFR380L3E6327XTM
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR
38,495 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.21
10
S/0.728
100
S/0.58
500
S/0.549
1,000
Ver
15,000
S/0.436
1,000
S/0.525
2,500
S/0.502
5,000
S/0.487
15,000
S/0.436
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Amplificador de RF RF SILICON MMIC
BGA123L4E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.34
13,561 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BGA123L4E6327XTS
Infineon Technologies
Amplificador de RF RF SILICON MMIC
13,561 En existencias
1
S/2.34
10
S/2.01
25
S/1.90
100
S/1.74
250
Ver
15,000
S/1.09
250
S/1.64
500
S/1.57
1,000
S/1.41
4,000
S/1.21
8,000
S/1.09
15,000
S/1.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
BGSA400ML10E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/2.45
7,005 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BGSA400ML10E6327
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
7,005 En existencias
1
S/2.45
10
S/2.12
25
S/2.00
100
S/1.83
250
Ver
7,500
S/1.11
250
S/1.73
500
S/1.65
1,000
S/1.49
4,000
S/1.28
7,500
S/1.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8
BSC0925ND
Infineon Technologies
1:
S/5.02
7,001 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC0925ND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8
7,001 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.02
10
S/3.18
100
S/2.10
500
S/1.72
5,000
S/1.18
10,000
Ver
1,000
S/1.46
2,500
S/1.37
10,000
S/1.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 2.17A
+2 imágenes
BSP77 E6433
Infineon Technologies
1:
S/10.32
45,160 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSP77E6433
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 2.17A
45,160 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.32
10
S/6.66
25
S/5.96
100
S/4.90
4,000
S/3.20
8,000
Ver
250
S/4.59
500
S/4.01
1,000
S/3.51
8,000
S/3.04
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
+2 imágenes
BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1:
S/1.63
27,743 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSS215PH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
27,743 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.63
10
S/1.15
100
S/0.716
500
S/0.494
3,000
S/0.374
6,000
Ver
1,000
S/0.436
6,000
S/0.319
9,000
S/0.296
24,000
S/0.272
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 0.55A
BTS3405G
Infineon Technologies
1:
S/9.26
9,980 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BTS3405G
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 0.55A
9,980 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.26
10
S/5.96
25
S/5.33
100
S/4.40
2,500
S/2.87
7,500
Ver
250
S/4.13
500
S/3.62
1,000
S/3.16
7,500
S/2.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Módulos de Diodos LOW POWER ECONO
360°
+6 imágenes
DDB6U104N16RRBPSA1
Infineon Technologies
1:
S/241.72
43 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-DDB6U104N16RRBPS
Infineon Technologies
Módulos de Diodos LOW POWER ECONO
43 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE4EBOSA1
Infineon Technologies
1:
S/657.64
18 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-FF600R12KE4EBOSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
18 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
FP35R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
S/215.57
33 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-FP35R12W2T4PB11B
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
33 En existencias
1
S/215.57
10
S/178.55
108
S/157.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.22
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,682 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.22
10
S/7.98
100
S/5.53
500
S/4.67
1,000
S/3.93
2,000
Ver
2,000
S/3.80
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.98
1,892 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB100N04S4H2ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1,892 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.94
2,513 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R310CFDAATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
2,513 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.94
10
S/8.10
100
S/5.64
500
S/4.79
1,000
S/4.05
2,000
Ver
2,000
S/3.89
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.32
6,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N04S408ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
6,212 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.32
10
S/2.48
100
S/1.84
500
S/1.52
2,500
S/1.19
5,000
Ver
1,000
S/1.38
5,000
S/1.05
10,000
S/1.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
1:
S/7.47
5,487 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
5,487 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.47
10
S/4.71
100
S/3.16
500
S/2.59
2,500
S/2.09
5,000
Ver
1,000
S/2.27
5,000
S/1.89
10,000
S/1.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPD90N06S405ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/8.52
13,891 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD90N06S405ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
13,891 En existencias
1
S/8.52
10
S/5.45
100
S/3.69
500
S/2.94
2,500
S/2.37
10,000
Ver
1,000
S/2.77
10,000
S/2.31
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
SPD50P03L G
Infineon Technologies
1:
S/12.30
2,451 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-SPD50P03LG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
2,451 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.30
10
S/7.98
100
S/5.88
500
S/4.90
1,000
S/4.28
2,500
S/3.93
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Reguladores de tensión LDO LINEAR VOLTAGE REGULATOR
TLE4267GMXUMA2
Infineon Technologies
1:
S/11.41
1,301 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-TLE4267GMXUMA2
Infineon Technologies
Reguladores de tensión LDO LINEAR VOLTAGE REGULATOR
1,301 En existencias
1
S/11.41
10
S/8.52
25
S/7.82
100
S/7.05
2,500
S/5.99
5,000
Ver
250
S/6.66
500
S/6.42
1,000
S/6.19
5,000
S/5.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Perú
