STMicroelectronics IGBTs

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGWT30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
464En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGWT20H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
Hoja de datos
613En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGWT20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 300

Si TO-3P-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT28IH125DF Tube