Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-220
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-220
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET TO-220
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Tube
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube