EPC2012C

EPC
65-EPC2012C
EPC2012C

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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En pedido:
7,500
Se espera el 20/04/2026
Plazo de entrega de fábrica:
18
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/14.44 S/14.44
S/9.50 S/95.00
S/6.66 S/666.00
S/5.84 S/2,920.00
S/5.61 S/5,610.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/4.75 S/11,875.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-4
N-Channel
1 Channel
200 V
5 A
100 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2.800 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8541290040

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